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講演抄録/キーワード
講演名 2010-11-12 11:20
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
坪井秀行稲葉賢二伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-178
抄録 (和) シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子とシリコン表面の相互作用の量子論に立脚したメカニズム解明は,半導体デバイスにおけるhigh-k膜形成プロセスにおける基礎的な知見として極めて有用である.本研究では当研究室で開発した自動化超高速化量子分子動力学法プログラムを駆使して,量子化学計算に立脚したシリコン表面の酸化反応プロセスのダイナミクスを解析したのでその一端を報告する. 
(英) Using our newly developed automated system of ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method, we have investigated the initial process for dry, wet and radical oxidation reaction of silicon surface. In this report, we have analyzed the behavior of reactant molecules during the surface chemical reaction
キーワード (和) シリコン表面 / / / / / / /  
(英) Silicon surface / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-178, pp. 41-43, 2010年11月.
資料番号 SDM2010-178 
発行日 2010-11-04 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-178

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-11-11 - 2010-11-12 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Automated System of Ultra-Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Method and Oxidation Simulation of Silicon Surface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン表面 / Silicon surface  
キーワード(2)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 坪井 秀行 / Hideyuki Tsuboi / ツボイ ヒデユキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 賢二 / Kenji Inaba / イナバ ケンジ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊勢 真理子 / Mariko Ise / イセ マリコ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 由紀江 / Yukie Hayashi / ハヤシ ユキエ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕佳 / Yuka Suzuki / スズキ ユカ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 裕美 / Hiromi Sato / サトウ ヒロミ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小原 幸子 / Yukiko Obara / オバラ ユキコ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 南雲 亮 / Ryo Nagumo / ナグモ リョウ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 隆治 / Ryuji Miura / ミウラ リュウジ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 愛 / Ai Suzuki / スズキ アイ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 畠山 望 / Nozomu Hatakeyama / ハタケヤマ ノゾム
第11著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 明 / Akira Endou / エンドウ アキラ
第12著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 高羽 洋充 / Hiromitsu Takaba / タカバ ヒロミツ
第13著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保 百司 / Momoji Kubo /
第14著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 明 / Akira Miyamoto /
第15著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-11-12 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-178 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.274 
ページ範囲 pp.41-43 
ページ数
発行日 2010-11-04 (SDM) 


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