講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-11-12 11:20
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション ○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明(東北大) SDM2010-178 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-178 |
抄録 |
(和) |
シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子とシリコン表面の相互作用の量子論に立脚したメカニズム解明は,半導体デバイスにおけるhigh-k膜形成プロセスにおける基礎的な知見として極めて有用である.本研究では当研究室で開発した自動化超高速化量子分子動力学法プログラムを駆使して,量子化学計算に立脚したシリコン表面の酸化反応プロセスのダイナミクスを解析したのでその一端を報告する. |
(英) |
Using our newly developed automated system of ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method, we have investigated the initial process for dry, wet and radical oxidation reaction of silicon surface. In this report, we have analyzed the behavior of reactant molecules during the surface chemical reaction |
キーワード |
(和) |
シリコン表面 / / / / / / / |
(英) |
Silicon surface / / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-178, pp. 41-43, 2010年11月. |
資料番号 |
SDM2010-178 |
発行日 |
2010-11-04 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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