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講演抄録/キーワード
講演名 2010-11-12 15:05
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性
三成英樹阪大/JST)・北山達郎山本将央阪大)・森 伸也阪大/JSTSDM2010-183 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-183
抄録 (和) 直径が1.5 nmと2.5 nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数法によるホール輸送シミュレーションを行った.シミュレーション結果から,直径が2.5 nmのナノワイヤでは,一軸性の圧縮ひずみによってホール電流が増加し,引っ張りひずみではホール電流が減少することがわかった.一方,直径が1.5 nmのナノワイヤでは,ホール電流はひずみの影響をほとんど受けないことがわかった. 
(英) Hole transport simulation based on the nonequilibrium Green's function and tight-binding formalism has been performed for strained Si nanowire FETs with a diameter of 1.5 nm and 2.5 nm. Simulation results show that for Si nanowire FETs with a diameter of 2.5 nm, the compressive strain enhances the ballistic hole current, while the tensile strain gives opposite results. For Si nanowire FETs with a diameter of 1.5 nm, the ballistic hole current hardly depends on the strain magnitude.
キーワード (和) シリコン / ナノワイヤ / ひずみ / 非平衡グリーン関数法 / 強結合近似法 / / /  
(英) silicon / nanowire / strain / nonequilibrium Green's function method / tight-binding approximation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-183, pp. 65-69, 2010年11月.
資料番号 SDM2010-183 
発行日 2010-11-04 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-183 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-183

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-11-11 - 2010-11-12 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Strain Dependence of Hole Currents in Silicon Nanowire FETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン / silicon  
キーワード(2)(和/英) ナノワイヤ / nanowire  
キーワード(3)(和/英) ひずみ / strain  
キーワード(4)(和/英) 非平衡グリーン関数法 / nonequilibrium Green's function method  
キーワード(5)(和/英) 強結合近似法 / tight-binding approximation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学/JST-CREST (略称: 阪大/JST)
Osaka University/JST-CREST (略称: Osaka Univ./JST-CREST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 北山 達郎 / Tatsuro Kitayama / キタヤマ タツロウ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 将央 / Masahiro Yamamoto / ヤマモト マサヒロ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学/JST-CREST (略称: 阪大/JST)
Osaka University/JST-CREST (略称: Osaka Univ./JST-CREST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-11-12 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-183 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.274 
ページ範囲 pp.65-69 
ページ数
発行日 2010-11-04 (SDM) 


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