講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-11-12 15:05
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 ○三成英樹(阪大/JST)・北山達郎・山本将央(阪大)・森 伸也(阪大/JST) SDM2010-183 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-183 |
抄録 |
(和) |
直径が1.5 nmと2.5 nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数法によるホール輸送シミュレーションを行った.シミュレーション結果から,直径が2.5 nmのナノワイヤでは,一軸性の圧縮ひずみによってホール電流が増加し,引っ張りひずみではホール電流が減少することがわかった.一方,直径が1.5 nmのナノワイヤでは,ホール電流はひずみの影響をほとんど受けないことがわかった. |
(英) |
Hole transport simulation based on the nonequilibrium Green's function and tight-binding formalism has been performed for strained Si nanowire FETs with a diameter of 1.5 nm and 2.5 nm. Simulation results show that for Si nanowire FETs with a diameter of 2.5 nm, the compressive strain enhances the ballistic hole current, while the tensile strain gives opposite results. For Si nanowire FETs with a diameter of 1.5 nm, the ballistic hole current hardly depends on the strain magnitude. |
キーワード |
(和) |
シリコン / ナノワイヤ / ひずみ / 非平衡グリーン関数法 / 強結合近似法 / / / |
(英) |
silicon / nanowire / strain / nonequilibrium Green's function method / tight-binding approximation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-183, pp. 65-69, 2010年11月. |
資料番号 |
SDM2010-183 |
発行日 |
2010-11-04 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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