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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 13:00 ［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）  SDM2010-173 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-173 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続したSPRAM素子を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レベルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。また、書き換え・読み出し動作として、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。 |
| （英） | A MLC (Multi-level cell) SPRAM (Spin transfer torque RAM) with series-stacked MTJs (Magneto tunnel junctions) was developed. We demonstrate the successful four-level operation, which means two-bits/cell, for the first time. It is shown that areas of the two-MTJs are required to be different. In addition, two-step write and read techniques for memory operation are also proposed. | |
| キーワード | （和） | SPRAM (Spin transfer torque RAM) / STT (Spin transfer torque) / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 磁気トンネル接合 / 多値 / 2段階書き込み / 2段階読み出し |
| （英） | SPRAM (Spin transfer torque RAM) / STT (Spin transfer torque) / / TMR (Tunnel magneto resistance) / MTJ (Magneto tunnel junction) / MLC (Multi-level cell) / 2-step write technique / 2-step read technique | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-173, pp. 11-15, 2010年11月. | |
| 資料番号 | SDM2010-173 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-173 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-173 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Trends of Magnetic Memory; Multi-Level-Cell Spin Transfer Torque Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SPRAM (Spin transfer torque RAM) / SPRAM (Spin transfer torque RAM) |
| キーワード(2)（和/英） | STT (Spin transfer torque) / STT (Spin transfer torque) |
| キーワード(3)（和/英） | スピン注入磁化反転 / |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル磁気抵抗 / TMR (Tunnel magneto resistance) |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気トンネル接合 / MTJ (Magneto tunnel junction) |
| キーワード(6)（和/英） | 多値 / MLC (Multi-level cell) |
| キーワード(7)（和/英） | 2段階書き込み / 2-step write technique |
| キーワード(8)（和/英） | 2段階読み出し / 2-step read technique |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石垣 隆士 / Takashi Ishigaki / イシガキ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小埜 和夫 / Kazuo Ono / オノ カズオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku U.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 13:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-173 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.274 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) |
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