講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-11-11 11:15
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之(東工大) ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 |
抄録 |
(和) |
今回,MOCVD法を用いて,Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った.Si基板上でのGaNP層成長では3次元成長の抑制及び表面ラフネスの低減を目的に二段階成長,GaInPバッファ層成長を行った.またInAs量子ドットの形成特性把握のために,成長温度依存性,InAs供給量依存性,GaNPバッファ層の窒素組成依存性を検討した. |
(英) |
In this report, we investigate the basic property of the GaNP layer and the InAs-based quantum dots grown on Si substrate. In the GaNP layer growth on the Si substrate, two step growth method and strain GaInP buffer layer was introduced to suppress the 3D growth and decrease the surface roughness. Moreover, we investigated the the growth temperature dependency, the InAs supply dependency, and the nitrogen composition in the GaNP buffer layer dependency to clarify the InAs formation characteristic. |
キーワード |
(和) |
Si / GaNP / InAs / 量子ドット / 有機金属気相成長法 / / / |
(英) |
Si / GaNP / InAs / Quantum dots / MOCVD / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-101, pp. 15-19, 2010年11月. |
資料番号 |
LQE2010-101 |
発行日 |
2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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