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| 講演名 | 2010-11-11 15:45 AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大）  ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 |
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| 抄録 | （和） | AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。AlInNの成長条件を検討した結果、急峻な界面および良好な表面モフォロジーを持つAlInN/GaN構造が得られた。また、サファイア上に成長させたAlInN/GaN構造と比較したところ、AlNテンプレート上のものは優れた構造特性を持つことがわかった。AlNテンプレート上に試作した受光素子は良好な受光感度特性を示し、量子効率としては10 %以上が得られた。これは、サファイア基板上のものよりも高効率であった。今後は、AlNテンプレート上へのAlInN/GaN構造の最適化を進めることで更なる高効率化の実現を目指す。 |
| （英） | We characterize AlInN/GaN structures on AlN templates grown by metal organic chemical vapor deposition and demonstrate Schottky AlInN ultraviolet photodiodes. AlInN growth parameters were investigated, resulting in AlInN/GaN structures with both smooth interface and good surface morphology. Moreover, compared to AlInN/GaN structures on sapphires, those on AlN templates are found to have better structural properties. Fabricated photodiodes on AlN templates show the good responsivity, corresponding to more than 10 % as quantum efficiency. This value is higher than that of photodiodes on sapphires. Optimized AlInN/GaN structure on AlN template is a promising candidate for realizing high-efficiency ultraviolet photodiode. | |
| キーワード | （和） | AlInN / 受光素子 / AlNテンプレート / MOCVD / / / / |
| （英） | AlInN / Photodiode / AlN template / MOCVD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-107, pp. 41-45, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-107 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency AlInN Ultraviolet Photodiodes on AlN Template |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(2)（和/英） | 受光素子 / Photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | AlNテンプレート / AlN template |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 佑輔 / Yusuke Sakai / サカイ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 淳規 / Junki Ichikawa / イチカワ ジュンキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-151, CPM2010-117, LQE2010-107 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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