講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-29 10:25
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一(長岡技科大)・片桐裕則・神保和夫(長岡高専)・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆(東北大)・中澤日出樹(弘前大)・成田 克(山形大)・○安井寛治(長岡技科大) CPM2010-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-102 |
抄録 |
(和) |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法においてGa原料ガス(TMGa)のパルスモード供給を行いGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。また、TMGの蒸気圧を低下させALDモードのようなTMG 1パルスあたり数monolayerとなる成長条件を実現し、更なる膜質の改善を目指した。しかし、これまでの一定供給成長並びにパルス供給成長実験の結果に比べ、結晶性、配向性に改善は見出せなかった。 |
(英) |
Hot-mesh CVD with pulse-mode gas supply has been investigated to improve the crystallinity and optical properties of gallium nitride (GaN) epitaxial films. Thus, GaN films of good crystallinity have been grown on Si substrates using an intermittent gas supply of TMG at an interruption time of 8 s and a continuous supply of NH3 gas. In order to further improve the film quality, the present study aimed to optimize the quantity of the intermittent TMG gas supply. Although the growth of a few monolayers per pulse was achieved by lowering the TMG gas pressure, the optimal growth conditions needed to improve the crystallinity and optical properties could not be obtained. |
キーワード |
(和) |
GaN / ホットメッシュCVD / パルスガス供給 / X線回折パターン / フォトルミネッセンス / / / |
(英) |
GaN / hot-mesh CVD / pulse-mode gas supply / X-ray diffraction pattern / photoluminescence / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-102, pp. 55-58, 2010年10月. |
資料番号 |
CPM2010-102 |
発行日 |
2010-10-21 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2010-102 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-102 |