電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-29 10:25
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-102
抄録 (和) 紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法においてGa原料ガス(TMGa)のパルスモード供給を行いGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。また、TMGの蒸気圧を低下させALDモードのようなTMG 1パルスあたり数monolayerとなる成長条件を実現し、更なる膜質の改善を目指した。しかし、これまでの一定供給成長並びにパルス供給成長実験の結果に比べ、結晶性、配向性に改善は見出せなかった。 
(英) Hot-mesh CVD with pulse-mode gas supply has been investigated to improve the crystallinity and optical properties of gallium nitride (GaN) epitaxial films. Thus, GaN films of good crystallinity have been grown on Si substrates using an intermittent gas supply of TMG at an interruption time of 8 s and a continuous supply of NH3 gas. In order to further improve the film quality, the present study aimed to optimize the quantity of the intermittent TMG gas supply. Although the growth of a few monolayers per pulse was achieved by lowering the TMG gas pressure, the optimal growth conditions needed to improve the crystallinity and optical properties could not be obtained.
キーワード (和) GaN / ホットメッシュCVD / パルスガス供給 / X線回折パターン / フォトルミネッセンス / / /  
(英) GaN / hot-mesh CVD / pulse-mode gas supply / X-ray diffraction pattern / photoluminescence / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-102, pp. 55-58, 2010年10月.
資料番号 CPM2010-102 
発行日 2010-10-21 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2010-10-28 - 2010-10-29 
開催地(和) 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 
開催地(英)  
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2010-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optimization of GaN film growth condition using pulse-mode hot-mesh CVD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) ホットメッシュCVD / hot-mesh CVD  
キーワード(3)(和/英) パルスガス供給 / pulse-mode gas supply  
キーワード(4)(和/英) X線回折パターン / X-ray diffraction pattern  
キーワード(5)(和/英) フォトルミネッセンス / photoluminescence  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 一樹 / Kazuki Nagata / ナガタ カズキ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 里本 宗一 / Souichi Satomoto / サトモト ソウイチ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 片桐 裕則 / Hironori Katagiri / カタギリ ヒロノリ
第3著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校 (略称: 長岡高専)
Nagaoka Technivcal College (略称: Nagaoka Techni. College)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 神保 和夫 / Kazuo Jimbo / ジンボ カズオ
第4著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校 (略称: 長岡高専)
Nagaoka Technivcal College (略称: Nagaoka Techni. College)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第5著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Touhoku University (略称: Tohoku Univ. Technol.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第6著者 所属(和/英) 東北大学学際科学国際高等研究センター (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ. Technol.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第7著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Touhoku University (略称: Tohoku Univ. Technol.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第8著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第9著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第10著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. Technol.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 10 
発表日時 2010-10-29 10:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2010-102 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.261 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2010-10-21 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会