お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-26 09:55
窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性
池田啓太大上 航後藤康仁辻 博司京大ED2010-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-137
抄録 (和) フィールドエミッタアレイ(FEA)を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000-tipのゲート電極一体型窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイ(HfN-FEA)を作製し、その能動素子としての特性を評価した。真空トランジスタはこのゲート電極一体型HfN-FEAとコレクタ電極を合わせた三極管構造である。今回報告の真空トランジスタでは、引き出し電圧58 Vにおいて、コレクタ電流1.1 mA、相互コンダクタンスとして0.27 mS、コレクタ抵抗として2.8 MΩ、電圧増幅率として750の値を得た。また、実際に交流信号を入力した場合、100 kΩの負荷から電圧利得として29 dB、その周波数特性としては1 MHzのGB積を得た。また、等価回路からの計算により、理論的にはGB積として36 MHzの値が期待できることがわかった。 
(英) Vacuum transistors using field emitter array have been developed for a signal amplifier. We fabricated a gated 40,000-tip hafnium nitride field emitter array (HfN-FEA) and evaluated HfN-FEA as an active device. The vacuum transistor had a triode structure with a gated HfN-FEA and a collector electrode. The device exhibited a collector current of 1.1 mA, transconductance of 0.27 mS, collector resistance of 2.8 MΩ, and voltage amplification factor of 750 at the applying emitter voltage of -58 V. The vacuum transistor amplified ac signal, and voltage gain of 29 dB was obtained with a load resistance of 100 kΩ. The gain bandwidth product of 1 MHz was obtained. From the estimation of the equivalent circuit, gain bandwidth product of 36 MHz is expected with the vacuum transistor.
キーワード (和) 窒化ハフニウム / 電界放出電子源 / 増幅器 / 真空トランジスタ / 周波数特性 / / /  
(英) hafnium nitride / field emitter array / amplifier / vacuum transistor / frequency characteristics / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-137, pp. 47-50, 2010年10月.
資料番号 ED2010-137 
発行日 2010-10-18 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-137

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-10-25 - 2010-10-26 
開催地(和) 宇治おうばくプラザ(京都大学) 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Frequency characteristics of Vacuum Transistor using Hafunium Nitride Field Emitter Array 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ハフニウム / hafnium nitride  
キーワード(2)(和/英) 電界放出電子源 / field emitter array  
キーワード(3)(和/英) 増幅器 / amplifier  
キーワード(4)(和/英) 真空トランジスタ / vacuum transistor  
キーワード(5)(和/英) 周波数特性 / frequency characteristics  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 啓太 / Keita Ikeda / イケダ ケイタ
第1著者 所属(和/英) 京都大学大学院 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大上 航 / Wataru Ohue / オオウエ ワタル
第2著者 所属(和/英) 京都大学大学院 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト
第3著者 所属(和/英) 京都大学大学院 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 博司 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 京都大学大学院 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2010-10-26 09:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-137 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.249 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2010-10-18 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会