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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-25 13:25
三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性
後藤康仁遠藤恵介辻 博司京大)・石川順三中部大)・酒井滋樹日新イオン機器ED2010-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-129
抄録 (和) 三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシリコン基板の表面状態の分析を行なった。電子源の放出電流の経時変化を模擬するために、試料を真空中で加熱し、その際の表面状態の変化を調べた。表面状態の評価としては、X線光電子分光法による原子間結合状態の評価、ケルビンプローブによる仕事関数の評価を行なった。その結果、プラズマ処理の初期に表面を被覆していたフッ化炭素の層からはフッ素の脱離が見られた。処理直後の仕事関数はシリコンの仕事関数よりも高くなったが、加熱に伴い仕事関数は低下した。この結果は、電子放出特性から導いた結果と定性的に合致する。 
(英) Surface state of the silicon substrate treated by trifluoromethane plasma was analyzed in order to clarify the origin of the variation of electron emission property of silicon field emitter array treated by the same process. In order to simulate the emitting surface in long time operation, the samples were heated in vacuum. Evaluation of interatomic bonding was made by x-ray photoelectron spectroscopy, and evaluation of work function was made by Kelvin probe. As a result, it was found that fluorine atoms were lost from the fluorocarbon layer that covered the sample surface just after the plasma treatment. Work function of the plasma treated surface was higher than that of silicon, and it decreased after thermal treatment. The above result shows good agreement with the conclusion derived from the alanysis of field emission property.
キーワード (和) シリコン電界放出電子源 / 表面状態 / 電子放出特性 / 三フッ化メタンプラズマ処理 / 仕事関数 / / /  
(英) silicon field emitter array / surface state / electron emission property / trifluoromethane plasma treatment / work function / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-129, pp. 7-10, 2010年10月.
資料番号 ED2010-129 
発行日 2010-10-18 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-129

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-10-25 - 2010-10-26 
開催地(和) 宇治おうばくプラザ(京都大学) 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Surface state and electron emission property of silicon field emitter arrays treated by trifluoromethane plasma 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン電界放出電子源 / silicon field emitter array  
キーワード(2)(和/英) 表面状態 / surface state  
キーワード(3)(和/英) 電子放出特性 / electron emission property  
キーワード(4)(和/英) 三フッ化メタンプラズマ処理 / trifluoromethane plasma treatment  
キーワード(5)(和/英) 仕事関数 / work function  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 恵介 / Keisuke Endo / エンドウ ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 博司 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 順三 / Junzo Ishikawa / イシカワ ジュンゾウ
第4著者 所属(和/英) 中部大学 (略称: 中部大)
Chubu University (略称: Chubu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ
第5著者 所属(和/英) 日新イオン機器 (略称: 日新イオン機器)
Nissin Ion Equipment Co., Ltd. (略称: Nissin Ion Equipment)
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講演者
発表日時 2010-10-25 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-129 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.249 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2010-10-18 


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