講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-25 13:50
窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係 ○工藤唯義(筑波大/国際基督教大)・増澤智昭・佐藤祐介(国際基督教大)・齋藤市太郎(国際基督教大/ケンブリッジ大)・山田貴壽(産総研)・Angel Koh・Daniel Chua(シンガポール国立大)・吉野輝雄・田 旺帝(国際基督教大)・山崎 聡(筑波大/産総研)・岡野 健(国際基督教大) ED2010-130 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-130 |
抄録 |
(和) |
尿素,ジメチル尿素という2種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて,飛行時間二次イオン質量分析(TOF-SIMS)と電界電子放出測定を行った.TOF-SIMSによると,尿素を不純物源として合成したサンプルが最もC-N信号強度が強かった.また,電界電子放出測定については,Fowler-Nordheim(F-N)プロットのみならず,一定電流値を得るために必要な印加電圧について陽極陰極間距離ごとにプロットしたV-dプロットを用い電界増強因子を評価した.その結果,C-N信号強度が最も強かったサンプルからの電界電子放出が最もが大きかった.これにより,C-N信号強度が強いサンプルからより電界電子放出しやすいという結論に至った. |
(英) |
Electron field emission measurement and Time-of-flight secondary ion mass spectroscopy (TOF-SIMS) were carried out on nitrogen (N-) doped diamond films of two different impurity sources; urea and dimethylurea. Urea doped diamond films exhibited the strongest signal intensity of C-N bonds according to the TOF-SIMS results. As for the field emission properties, the enhancement factor  was characterised not only by Fowler-Nordheim (F-N) plot, but also by V-d plot where the voltage required for a certain value of emission current to flow was plotted against each anode-cathode distance. The largest  was acquired from the diamond film with the most C-N counts, and therefore more C-N maybe the key to enhancing electron field emission from N-doped diamond. |
キーワード |
(和) |
窒素添加ダイヤモンド / ジメチル尿素 / 尿素 / 電界電子放出 / 電界増強因子 / TOF-SIMS / / |
(英) |
nitrogen-doped diamond / dimethylurea / urea / field emission / enhancement factor / TOF-SIMS / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-130, pp. 11-15, 2010年10月. |
資料番号 |
ED2010-130 |
発行日 |
2010-10-18 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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