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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-25 13:50
窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係
工藤唯義筑波大/国際基督教大)・増澤智昭佐藤祐介国際基督教大)・齋藤市太郎国際基督教大/ケンブリッジ大)・山田貴壽産総研)・Angel KohDaniel Chuaシンガポール国立大)・吉野輝雄田 旺帝国際基督教大)・山崎 聡筑波大/産総研)・岡野 健国際基督教大ED2010-130 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-130
抄録 (和) 尿素,ジメチル尿素という2種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて,飛行時間二次イオン質量分析(TOF-SIMS)と電界電子放出測定を行った.TOF-SIMSによると,尿素を不純物源として合成したサンプルが最もC-N信号強度が強かった.また,電界電子放出測定については,Fowler-Nordheim(F-N)プロットのみならず,一定電流値を得るために必要な印加電圧について陽極陰極間距離ごとにプロットしたV-dプロットを用い電界増強因子を評価した.その結果,C-N信号強度が最も強かったサンプルからの電界電子放出が最もが大きかった.これにより,C-N信号強度が強いサンプルからより電界電子放出しやすいという結論に至った. 
(英) Electron field emission measurement and Time-of-flight secondary ion mass spectroscopy (TOF-SIMS) were carried out on nitrogen (N-) doped diamond films of two different impurity sources; urea and dimethylurea. Urea doped diamond films exhibited the strongest signal intensity of C-N bonds according to the TOF-SIMS results. As for the field emission properties, the enhancement factor  was characterised not only by Fowler-Nordheim (F-N) plot, but also by V-d plot where the voltage required for a certain value of emission current to flow was plotted against each anode-cathode distance. The largest  was acquired from the diamond film with the most C-N counts, and therefore more C-N maybe the key to enhancing electron field emission from N-doped diamond.
キーワード (和) 窒素添加ダイヤモンド / ジメチル尿素 / 尿素 / 電界電子放出 / 電界増強因子 / TOF-SIMS / /  
(英) nitrogen-doped diamond / dimethylurea / urea / field emission / enhancement factor / TOF-SIMS / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-130, pp. 11-15, 2010年10月.
資料番号 ED2010-130 
発行日 2010-10-18 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-130 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-130

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-10-25 - 2010-10-26 
開催地(和) 宇治おうばくプラザ(京都大学) 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Field Emission Properties of Nitrogen-doped Diamond Related with C-N Bond 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒素添加ダイヤモンド / nitrogen-doped diamond  
キーワード(2)(和/英) ジメチル尿素 / dimethylurea  
キーワード(3)(和/英) 尿素 / urea  
キーワード(4)(和/英) 電界電子放出 / field emission  
キーワード(5)(和/英) 電界増強因子 / enhancement factor  
キーワード(6)(和/英) TOF-SIMS / TOF-SIMS  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 唯義 / Yuki Kudo / クドウ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学/国際基督教大学 (略称: 筑波大/国際基督教大)
University of Tsukuba/International Christian University (略称: Univ. of Tsukuba/ICU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 増澤 智昭 / Tomoaki Masuzawa / マスザワ トモアキ
第2著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 祐介 / Yusuke Sato / サトウ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 市太郎 / Ichitaro Saito / サイトウ イチタロウ
第4著者 所属(和/英) ケンブリッジ大学 (略称: 国際基督教大/ケンブリッジ大)
University of Cambridge (略称: Univ. of Cambridge)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 貴壽 / Takatoshi Yamada / ヤマダ タカトシ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Angel Koh / Angel Koh / Angel Koh
第6著者 所属(和/英) シンガポール国立大学 (略称: シンガポール国立大)
National University of Singapore (略称: National Univ. of Singapore)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Daniel Chua / Daniel. Chua / Daniel. Chua
第7著者 所属(和/英) シンガポール国立大学 (略称: シンガポール国立大)
National University of Singapore (略称: National Univ. of Singapore)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉野 輝雄 / Teruo Yoshino / ヨシノ テルオ
第8著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 田 旺帝 / W. J. Chun / チョン ワン ジェ
第9著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 聡 / Satoshi Yamasaki / ヤマサキ サトシ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所/筑波大学 (略称: 筑波大/産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/University of Tsukuba (略称: AIST/Univ. of Tsukuba)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡野 健 / Ken Okano / オカノ ケン
第11著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-10-25 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-130 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.249 
ページ範囲 pp.11-15 
ページ数
発行日 2010-10-18 (ED) 


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