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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-25 14:15
負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構
山田貴壽長谷川雅考産総研)・ネーベル クリストフFIA)・工藤唯義山口尚登増澤智昭岡野 健国際基督教大ED2010-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-131
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-131, pp. 17-21, 2010年10月.
資料番号 ED2010-131 
発行日 2010-10-18 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-10-25 - 2010-10-26 
開催地(和) 宇治おうばくプラザ(京都大学) 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Field emission mechanism of n-type semiconducting diamond with negative electron affinity 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 貴壽 / Takatoshi Yamada / ヤマダ タカトシ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷川 雅考 / Masataka Hawagawa / ハセガワ マサタカ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ネーベル クリストフ / Christoph E. Nebel / ネーベル クリストフ
第3著者 所属(和/英) ドイツ フランホーファー研究所 (略称: FIA)
Fraunhofer Institute of Applied Solid State Physics (略称: FIA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 唯義 / Yuki Kudo / クドウ ユウキ
第4著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 尚登 / Hisato Yamaguchi / ヤマグチ ヒサト
第5著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 増澤 智昭 / Tomoaki Masuzawa / マスザワ トモアキ
第6著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡野 健 / Ken Okano / オカノ ケン
第7著者 所属(和/英) 国際基督教大学 (略称: 国際基督教大)
International Christian University (略称: ICU)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-10-25 14:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-131 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.249 
ページ範囲 pp.17-21 
ページ数
発行日 2010-10-18 (ED) 


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