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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-23 14:30
バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス
赤穂伸雄浅井哲也北大)・柳田 剛川合知二阪大)・雨宮好仁北大NC2010-46
抄録 (和) 抵抗変化メモリ(resistive RAM: ReRAM)を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バイポーラ型抵抗変化メモリ素子, キャパシタ, および二つのnMOS FETからなるCMOS-ReRAMハイブリッド回路である。試作デバイスを用いた実験により、i) 用いたバイポーラ型抵抗変化メモリ素子がメモリスタの数理モデルと質的に等価であること, ii) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子とキャパシタからなるCR回路にスパイク電圧を与えた場合、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが変化しないこと, iii) 上記ii)のキャパシタの充放電過程において、キャパシタの電荷をリークさせることにより、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが増加すること, および、iv) 上記ii)とiii)により、スパイクタイミングに応じてコンダクタンスが変化するSTDPシナプスデバイスが構成可能であることを示す。 
(英) We propose a STDP synaptic device that employs a resistive RAM (ReRAM). The device is a CMOS-ReRAM-hybrid circuit that consists of a bipolar ReRAM, a capacitor, and two nMOS FETs. Through extensive experimentals of our prototype device, we demonstrate that i) transient characteristics of our ReRAM are qualitatively equivalent to characteristics of a mathematical model of memristors, ii) conductance of the ReRAM does not change when one applies voltage spikes to a CR circuit consisting of the ReRAM and a capacitor, iii) when the capacitor is discharged via an additional current path during the charge and discharge process in ii) above, conductance of the ReRAM is certainly increased, and iv) by combining properties of ii) and iii) above, conductance of our STDP device is certainly modulated (increased or held) by the input spike timing.
キーワード (和) ニューロデバイス / 抵抗変化メモリ(ReRAM) / メモリスタ / シナプス / STDP / / /  
(英) Neural device / resistive RAM (ReRAM) / memristor / synapse / STDP / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 246, NC2010-46, pp. 23-28, 2010年10月.
資料番号 NC2010-46 
発行日 2010-10-16 (NC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード NC2010-46

研究会情報
研究会 NC  
開催期間 2010-10-23 - 2010-10-23 
開催地(和) 九工大(北九州学研都市) 
開催地(英) Kyushu Inst. Tech. (Kitakyushu Sci. and Res. Park) 
テーマ(和) ニューロコンピューティングの実装とシステム化,一般 
テーマ(英) Implementation and Systemization of Neurocomputing 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 NC 
会議コード 2010-10-NC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A ReRAM-based Analog Synaptic Device exhibiting Spike-Timing-Dependent Plasticity 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ニューロデバイス / Neural device  
キーワード(2)(和/英) 抵抗変化メモリ(ReRAM) / resistive RAM (ReRAM)  
キーワード(3)(和/英) メモリスタ / memristor  
キーワード(4)(和/英) シナプス / synapse  
キーワード(5)(和/英) STDP / STDP  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤穂 伸雄 / Nobuo Akou / アコウ ノブオ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaidou University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 哲也 / Tetsuya Asai / アサイ テツヤ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaidou University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳田 剛 / Takeshi Yanagida / ヤナギダ ツヨシ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川合 知二 / Tomoji Kawai / カワイ トモジ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 好仁 / Yoshihito Amemiya / アメミヤ ヨシヒト
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaidou University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2010-10-23 14:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 NC 
資料番号 IEICE-NC2010-46 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.246 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-NC-2010-10-16 


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