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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-22 11:10 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 ○藤井俊太朗・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）  SDM2010-162 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-162 |
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| 抄録 | （和） | 連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では0.3%程度、下側界面では0.4%以上の引っ張り歪が発生していることがわかった。引っ張り歪による電子移動度の変調効果を調べるため、上下界面にゲート電極を持つ4端子薄膜トランジスタを作製し、上下界面チャネルの電気特性をそれぞれ評価した。表面側よりも下側界面において大きな引っ張り歪が発生しているため、下側界面の電子移動度は表面側の電子移動度よりも1.2倍大きいことがわかった。 |
| （英） | Tensile strain is induced in the polycrystalline silicon (poly-Si) films formed by CW laser lateral crystallization (CLC). X-ray diffraction measurements on in-plane direction clarified that the strain values at surface and back interface were around 0.3% and over 0.4%, respectively. To investigate the modulation of electron mobility induced by the tensile strain, 4-terminal CLC poly-Si thin film transistors (TFTs) having both front and back gate electrodes were fabricated. The electrical characteristics on both front and back channels were evaluated. It was found that back channel electron mobility was 1.2 times larger than front channel electron mobility due to the larger tensile strain at the back interface. | |
| キーワード | （和） | 連続発振レーザー結晶化 / 薄膜トランジスタ / 引っ張り歪 / 電子移動度 / / / / |
| （英） | CW laser lateral crystallization / Thin film transistor / Tensile strain / Electron mobility / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-162, pp. 41-44, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-162 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-162 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Internal Strain and Electron Mobility in poly-Si TFTs Formed by CW Laser Lateral Crystallization |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 連続発振レーザー結晶化 / CW laser lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 引っ張り歪 / Tensile strain |
| キーワード(4)（和/英） | 電子移動度 / Electron mobility |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 俊太朗 / Shuntaro Fujii / フジイ シュンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 光司 / Koji Kotani / コタニ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-22 11:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-162 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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