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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-21 17:40 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 ○岩鍜治陽子・広田 潤・矢吹 宗・石田浩一・金子和香奈・水島一郎・赤堀浩史（東芝）  SDM2010-158 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-158 |
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| 抄録 | （和） | センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用いることが多くなっており、表面モフォロジー、さらにはドーズプロファイルの精密な制御が求められている。成膜によりポリシリコン層を形成する場合、平坦な薄膜表面を得ることが難しいという問題がある。更に、平坦性を有するアモルファスシリコン膜を作製し熱工程により結晶化してポリシリコン層とする場合、薄膜のシリコン層中に結晶核が出来にくいため結晶化には高温を要するという課題もある。これらの問題を改善するべく、成膜時にアモルファスシリコン中に結晶粒を発生させ、その後の結晶化の核として用いる薄膜ポリシリコン形成方法を試行し、物理解析を行った。 |
| （英） | Polysilicon are frequently used in various manufacture censor, solar cell and liquid crystal. In recent years, It comes to often use the thin polysilicon layer for those devices, surface morphology and the precise control with the dose profile are requested. When the polysilicon layer is formed during CVD deposition, it is difficult to obtain flat film surface. Moreover, fabrications of high-quality polysilicon require high temperature film formation. In the case of fabrication of polysilicon thin films by deposition of flat amorphous silicon film and crystallization by thermal process, there is a problem of requiring the high temperature for crystallization because of difficulty of the nucleation in the film. To improve these problems, we tried the method of forming the thin film polysilicon which generate the crystal grain in the amorphous silicon during CVD deposition and use the grain as a nucleus of the crystallization, and performed physical analysis. | |
| キーワード | （和） | ポリシリコン / アモルファスシリコン / 結晶化 / TEM / XRD / SIMS / / |
| （英） | Polysilicon / Amorphous Silicon / Crystallization / TEM / XRD / SIMS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-158, pp. 31-34, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-158 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-158 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-158 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature crystallization of thin-film amorphous silicon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリシリコン / Polysilicon |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン / Amorphous Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶化 / Crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(5)（和/英） | XRD / XRD |
| キーワード(6)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩鍜治 陽子 / Yoko Iwakaji / イワカジ ヨウコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広田 潤 / Jun Hirota / ヒロタ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢吹 宗 / Moto Yabuki / ヤブキ モト |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 浩一 / Hirokazu Ishida / イシダ ヒロカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 和香奈 / Wakana Kaneko / カネコ ワカナ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水島 一郎 / Ichiro Mizushima / ミズシマ イチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 浩史 / Hiroshi Akahori / アカホリ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-21 17:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-158 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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