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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-21 15:00 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 ○小瀬村大亮（明大/学振）・小椋厚志（明大）  SDM2010-153 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-153 |
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| 抄録 | （和） | ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評価に多用されてきた。しかしながら、従来のラマン分光法における応力評価は、定性的な評価であると言わざるを得ない。つまり、測定で得られたSiのラマン波数シフトから応力に変換する際、なんらかの仮定が入っている。実際の複雑な応力場を評価してこそ、デバイス特性と比較し得る意味のある評価手法と言える。そこで本研究では、従来のラマン分光法では不可能な、複雑な応力場の評価を達成することを目的とする。高NAの液浸ラマン分光法を用いて、Strained-Si on insulator (SSOI)のtransverse optical (TO)フォノンモード（禁制モード）を励起した。新たに励起したTOモードを利用して、SSOIのtransmission electron microscopy試料における、異方性２軸応力を評価した。さらに、応力緩和率を定量的に評価した。 |
| （英） | Raman spectroscopy allows us to precisely evaluate stress with relatively high-spatial resolution and non-destructively. That is why Raman spectroscopy has been performed to evaluate stresses in semiconductor devices. However, it is impossible to evaluate stress quantitatively using conventional Raman spectroscopy. That is to say, an assumption is needed when Raman wavenumber shift is converted into stress. It is not enough to evaluate such a simple stress state, because the stress state in a device is considered to be complicated. In this study, the goal is to evaluate stress tensor using Raman spectroscopy with a high-numerical aperture (NA) lens. We performed to excite a transverse optical (TO) phonon mode in strained-Si on insulator (SSOI), which is a forbidden mode in conventional Raman spectroscopy. We also performed to evaluate biaxial stresses in transmission electron microscopy (TEM) samples of SSOI using the TO mode and to quantitatively evaluate stress relaxation in TEM samples. | |
| キーワード | （和） | 液浸ラマン分光法 / SSOI / 異方性応力 / TEM / 応力緩和率 / / / |
| （英） | Raman spectroscopy / immersion-oil / SSOI / biaxial stress / TEM / stress relaxation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-153, pp. 7-12, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-153 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-153 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-153 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Tensor Measurements using Raman Spectroscopy with High-NA Oil-Immersion Lens |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液浸ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | SSOI / immersion-oil |
| キーワード(3)（和/英） | 異方性応力 / SSOI |
| キーワード(4)（和/英） | TEM / biaxial stress |
| キーワード(5)（和/英） | 応力緩和率 / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | / stress relaxation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小瀬村 大亮 / Daisuke Kosemura / コセムラ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大/学振) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-21 15:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-153 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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