講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-14 15:45
CrPt3規則合金膜へのイオン照射による微細ビットパターン構造の作製 ○加藤剛志・大島大輝(名大)・Edi Suharyadi(名大/学振)・岩田 聡(名大) MR2010-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2010-26 |
抄録 |
(和) |
CrPt3規則合金膜へ30 keVのKr+イオンを照射することで,CrPt3膜はL12型の規則相からA1型不規則相へ相変化し,それに伴い強磁性から非磁性へ変化する.局所的なイオン照射を行うことでCrPt3膜に微細なビットパターン構造を作製し,磁気力顕微鏡(MFM)により磁化過程の評価を行った.ビットサイズ50 nm x 50 nmのCrPt3の磁化反転は主に単磁区の磁化回転で進行することが分かった.CrPt3ビットパターン膜の平均の磁化反転磁界Hsfはビットサイズ減少に伴い増加した.一方,反転磁界分布ΔHsfはサイズ減少に伴い減少した.これから,微細なイオン照射型パターン膜においても低ΔHsf / Hsfが実現できることが分かった. |
(英) |
30 keV Kr+ ion irradiation onto L12 ordered CrPt3 alloy film transforms the crystal structure of CrPt3 from L12 to A1 phases, which results in the change of magnetism from ferrimagnetism to paramagnetism. Bit patterned structure was fabricated by the local ion irradiation on CrPt3, and its magnetization reversal process was investigated by magnetic force microscope observations. The patterned CrPt3 bits with the size of 50 nm x 50 nm are considered to have a single domain state and their magnetization reversals undergo individual coherent rotations. With decreasing the bit size of the patterned CrPt3, the average switching field Hsf of the bits increased, while the switching field distribution ΔHsf decreased. This indicates that small ΔHsf / Hsf is possible for high density ion irradiated planar bit patterned media |
キーワード |
(和) |
ビットパターン媒体 / イオン照射 / 反転磁界分布 / CrPt3 / / / / |
(英) |
Bit Patterned Media / Ion Irradiation / Switching Field Distribution / CrPt3 / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, 2010年10月. |
資料番号 |
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発行日 |
2010-10-07 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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