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講演抄録/キーワード
講演名 2010-09-28 14:35
リングオシレータによるしきい値簡易推定の温度依存性の検討
上薗 巧京大/学振)・越智裕之佐藤高史京大VLD2010-53
抄録 (和) LSI製造における歩留まりと信頼性の向上は回路設計において重要な位置を占めている。近年、いくつかの適応的手法が提案されているが、それらの技術には環境要因に対してロバストなチップ特性推定手法が必要である。本稿では、リングオシレータを用いたチップ特性推定手法の温度依存性について検討し、温度変動に対してロバストな閾値推定手法を提案する。65nm CMOSプロセスのトランジスタモデルを用いたシミュレーションにより、リングオシレータの遅延時間の温度依存性は非線型であるが、-20度から105度までの一般的な実用範囲内では線形近似で精度の高い推定が可能であることが分かった。温度依存性を考慮しない場合と比較して、17.9\.mV推定精度が改善することができた。 
(英) Yield and reliability improvement is one of the most serious concerns for nanometer-technology chip designs. Recenly, some adaptive techniques for performance tuning have been proposed. These techniques assume that accurate process parameters measured by robust measuring circuits is available. In this paper, we discuss temperature characteristic of ring-oscillator based threshold voltage estimation and propose a robust threshold voltage estimation method. Through circuit simulation using 65\,nm CMOS process transistor model, delay of ring oscillators can be approximated by linear expression at temperature in -25 to 105 degrees Celsius range. The threshold voltages of nMOS and pMOS transistors are experimentally estimated. Comparing the result of conventional estimation method which does not considered temperature variation, the proposed method can improve the estimation accuracy by 17.9\,mV.
キーワード (和) 閾値推定 / リングオシレータ / 温度特性 / / / / /  
(英) threshold voltage estimation / ring oscillator / temperature characteristics / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 210, VLD2010-53, pp. 67-70, 2010年9月.
資料番号 VLD2010-53 
発行日 2010-09-20 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2010-53

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2010-09-27 - 2010-09-28 
開催地(和) 京都工繊大 60周年記念館 
開催地(英) Kyoto Institute of Technology 
テーマ(和) 物理設計および一般 
テーマ(英) Physical design, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2010-09-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) リングオシレータによるしきい値簡易推定の温度依存性の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A study of temperature characteristics of ring-oscillator based threshold voltage estimation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 閾値推定 / threshold voltage estimation  
キーワード(2)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator  
キーワード(3)(和/英) 温度特性 / temperature characteristics  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上薗 巧 / Takumi Uezono / ウエゾノ タクミ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大/学振)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 越智 裕之 / Hiroyuki Ochi / オチ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 高史 / Takashi Sato / サトウ タカシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-09-28 14:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2010-53 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.210 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数
発行日 2010-09-20 (VLD) 


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