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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-08-27 09:25 単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD ○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）  SDM2010-139 ICD2010-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-139 ICD2010-54 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電体NANDフラッシュメモリにおける新規書き込み法として単一セル自己昇圧法（SCSB: Single-Cell Self-Boost）を提案する．提案するSCSB法では非選択ビット線中の選択ワード線のセルのみのチャネル電位を昇圧して非書き込み動作を実現する．本提案法により強誘電体NANDフラッシュメモリの電源電圧を1.0Vまで低減することが可能になり，従来の1.8Vで動作する浮遊ゲートNANDフラッシュメモリより消費電力を86%削減できる．また，NANDフラッシュメモリの消費電力が低減されることによりSSDにおいて並列で動作するNANDチップ数を6.9倍増やすことが可能となり，9.5GB/secの書き込み速度を実現できることがわかった． |
| （英） | A Single-Cell Self-Boost (SCSB) program scheme is proposed to achieve a 1.0V power supply operation in Ferroelectric (Fe-) NAND flash memories. In the proposed SCSB scheme, only the channel voltage of the cell to which the program voltage VPGM is applied is self-boosted in the program-inhibit NAND string. The proposed program scheme shows an excellent tolerance to the program disturb at the power supply voltage, VCC=1.0V. The power consumption of the Fe-NAND at VCC=1.0V decreases by 86% compared with the conventional floating gate (FG-) NAND at VCC=1.8V without degrading the write speed. The number of NAND chips written simultaneously in Solid-State Drives (SSD) increases by 6.9 times. As a result, the 9.5GByte/sec write throughput of the Fe-NAND SSD is achieved for an enterprise application. | |
| キーワード | （和） | NANDフラッシュメモリ / 強誘電体 / 単一セル自己昇圧法 / Fe-FET / 書き込みディスターブ / SSD / 高速書き込み / 低消費電力 |
| （英） | NANA flash memory / Ferroelectric / Single-Cell Self-Boost (SCSB) / Fe-FET / Program disturb / SSD / High performance programming / Low power | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-54, pp. 83-88, 2010年8月. | |
| 資料番号 | ICD2010-54 | |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-139 ICD2010-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-139 ICD2010-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.0V Power Supply, 9.5GByte/sec Write Speed, Single-Cell Self-Boost Program Scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NANA flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(3)（和/英） | 単一セル自己昇圧法 / Single-Cell Self-Boost (SCSB) |
| キーワード(4)（和/英） | Fe-FET / Fe-FET |
| キーワード(5)（和/英） | 書き込みディスターブ / Program disturb |
| キーワード(6)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(7)（和/英） | 高速書き込み / High performance programming |
| キーワード(8)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 晋司 / Shinji Noda / ノダ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 光恵 / Mitsue Takahashi / タカハシ ミツエ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-08-27 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2010-139, ICD2010-54 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.182(SDM), no.183(ICD) |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-08-19 (SDM, ICD) |
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