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講演抄録/キーワード
講演名 2010-08-27 17:45
1.3 um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析
藤澤 剛山中孝之田所貴志藤原直樹荒井昌和小林 亘川口悦弘都築 健狩野文良NTTEMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59
抄録 (和) 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレーションを実施した。その結果、変調器への注入光強度が大きくなるにつれ光吸収電流が増加し、それに伴うジュール熱の発生により変調器内の温度が数十度も上昇することがわかった。高光強度注入時の温度上昇に伴う変調器吸収端のレッドシフトによりレーザの発振波長との差(離調)が小さくなり、静的消光比が増大することを明らかにした。シミュレーションによる変調器消光比の計算結果は実験結果と良く一致し、電界吸収型変調器消光比にデバイス内の発熱が大きな影響を与えることを示している。 
(英) We have found that the extinction ratio of an electroabsorption modulator integrated with DFB laser strongly depends on the incident power to the modulator. Our theoretical consideration based on the full device simulation reveals that the temperature change in the modulator dominates the phenomenon. To obtain the intrinsic extinction characteristics of the modulator, a microscopic theory, which takes into account quantum mechanical many-body interactions in semiconductors, is used to exclude unknown experimental fitting parameters. Heat-flux analysis is performed for the calculation of the temperature distribution in the entire device. As the incident power to the modulator increases, the photo-current is also increased, leading to the increase in the temperature of the modulator by some tens of degrees Celsius induced by Joule heating. The increase red-shifts the absorption spectrum of the modulator and the detuning, which is the difference between a lasing wavelength and a band-edge wavelength of the modulator, becomes small, leading to larger extinction ratio. Calculated results are in good agreement with the experiment showing the validity of our discussion, and indicate that the extinction ratio of electroabsorption modulators is strongly affected by the internal heating of the device.
キーワード (和) 電界吸収型光変調器 / 量子井戸 / 量子力学的多体効果 / 熱伝導解析 / / / /  
(英) Electroabsorption modulator / quantum well / many-body theory / heat-flux analysis / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 181, LQE2010-59, pp. 163-168, 2010年8月.
資料番号 LQE2010-59 
発行日 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-61 CPM2010-77 OPE2010-86 LQE2010-59

研究会情報
研究会 EMD OPE LQE CPM  
開催期間 2010-08-26 - 2010-08-27 
開催地(和) 千歳アルカディアプラザ 
開催地(英) Chitose Arcadia Plaza 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-08-EMD-OPE-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.3 um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Incident-Power-Dependent Extinction Ratio of 1.3-um Electroabsorption Modulator Integrated with DFB laser: Theory and Experiment 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電界吸収型光変調器 / Electroabsorption modulator  
キーワード(2)(和/英) 量子井戸 / quantum well  
キーワード(3)(和/英) 量子力学的多体効果 / many-body theory  
キーワード(4)(和/英) 熱伝導解析 / heat-flux analysis  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤澤 剛 / Takeshi Fujisawa / フジサワ タケシ
第1著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 孝之 / Takayuki Yamanaka / ヤマナカ タカユキ
第2著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田所 貴志 / Takashi Tadokoro / タドコロ タカシ
第3著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ
第4著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ
第5著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 亘 / Wataru Kobayashi / コバヤシ ワタル
第6著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川口 悦弘 / Yoshihiro Kawaguchi / カワグチ ヨシヒロ
第7著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 都築 健 / Ken Tsuzuki / ツヅキ ケン
第8著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 狩野 文良 / Fumiyoshi Kano / カノウ フミヨシ
第9著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2010-08-27 17:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-EMD2010-61,IEICE-CPM2010-77,IEICE-OPE2010-86,IEICE-LQE2010-59 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.178(EMD), no.179(CPM), no.180(OPE), no.181(LQE) 
ページ範囲 pp.163-168 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-EMD-2010-08-19,IEICE-CPM-2010-08-19,IEICE-OPE-2010-08-19,IEICE-LQE-2010-08-19 


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