講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-08-27 16:55
ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ ○田辺克明・Denis Guimard・Damien Bordel・岩本 敏・荒川泰彦(東大) EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 |
抄録 |
(和) |
III-V化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子ドット(QD)レーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は今回、ウェハ融着によるSi基板上電流注入型QDレーザを初めて実現したので報告する。作製したレーザは、Si上電流注入型QDレーザとして初めて1.3 um (> 1.0 um) O-bandでの発振を達成し、また、閾値電流密度は360 A/cm2とSi上QDレーザとして最低値を得ている。 |
(英) |
III-V semiconductor compounds light sources monolithically formed on Si substrates or waveguides would be promising for realization of photonic-electronic integrated circuits. Quantum dot (QD) lasers particularly has low lasing threshold current densities and high thermal stability Specifically quantum dot (QD) lasers yield low lasing threshold current and high temperature stability and therefore are suitable for high-density integration. We report the first demonstration of an electrically pumped QD laser on a Si substrate fabricated by wafer bonding. Our device has achieved RT lasing at 1.3 um (> 1.0 um) O-band for the first time as an electrically pumped QD laser on Si. Its lasing threshold current density was 360 A/cm2, the lowest out of QD lasers on Si. |
キーワード |
(和) |
量子ドット / レーザ / シリコンフォトニクス / ウェハ張り合わせ / / / / |
(英) |
Quantum dot / Laser / Silicon photonics / Wafer bonding / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 181, LQE2010-57, pp. 153-156, 2010年8月. |
資料番号 |
LQE2010-57 |
発行日 |
2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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