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講演抄録/キーワード
講演名 2010-08-27 14:05
相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作
田中大輝伊熊雄一郎慶大)・庄司雄哉桑原正史王 暁民金高健二河島 整産総研)・豊崎達也津田裕之慶大EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51
抄録 (和) 膜厚が1 µmと20 nmの相変化材料(Ge2Sb2Te5)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パルス照射によるスイッチング動作に初めて成功した.厚膜型ゲートスイッチでは,波長1525 nmから1600 nmにおいてONからOFFへの一方向スイッチングを観測し,12.5 dB以上の消光比を得た.薄膜型ゲートスイッチでは,二回のON/OFF/ON動作を観測し,出力光強度変化は一回目のON/OFF/ONにおいて14.3 dB及び7.7 dB,二回目のON/OFF/ONにおいて7.4 dB及び4.4 dBであった.結晶化光パルスはパルス幅453 ns,ピークパワー63 mW,アモルファス化光パルスはパルス幅10 ns,ピークパワー150 mWであり,それらの波長は660 nmである. 
(英) Two types of optical gate switch using phase-change material (PCM) were fabricated. The one switch had a 1-µm-thick PCM (Ge2Sb2Te5) layer and the other one had a 20-nm-thick PCM layer. We successfully demonstrated switching by laser pulse irradiation for the first time. As for the switch with a 1-µm-thick PCM layer, 'ON' to 'OFF' switching with an extinction ratio of more than 12.5 dB in the wavelength range from 1525 nm to 1600 nm was observed. The switch with a 20-nm-thick PCM layer was operated two cycles, 'ON' to 'OFF' to 'ON'. The changes of output power were 14.3 dB ('ON' to 'OFF' 1st), 7.7 dB ('OFF' to 'ON' 1st), 7.4 dB ('ON' to 'OFF' 2nd), and 4.4 dB ('OFF' to 'ON' 2nd), respectively. We used a laser pulse with a width of 453 ns and a peak power of 63 mW for crystallization and with a width of 10 ns and a peak power of 150 mW for amorphization. The wavelength of laser pulses was 660 nm.
キーワード (和) 相変化材料 / Si細線導波路 / 光スイッチ / / / / /  
(英) Phase-change material / Si wire waveguide / Optical switch / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 180, OPE2010-78, pp. 127-130, 2010年8月.
資料番号 OPE2010-78 
発行日 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-53 CPM2010-69 OPE2010-78 LQE2010-51

研究会情報
研究会 EMD OPE LQE CPM  
開催期間 2010-08-26 - 2010-08-27 
開催地(和) 千歳アルカディアプラザ 
開催地(英) Chitose Arcadia Plaza 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2010-08-EMD-OPE-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Switching Demonstration of an Optical Gate Switch Using a Phase-Change Material Integrated with Si Waveguides 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 相変化材料 / Phase-change material  
キーワード(2)(和/英) Si細線導波路 / Si wire waveguide  
キーワード(3)(和/英) 光スイッチ / Optical switch  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 大輝 / Daiki Tanaka / タナカ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊熊 雄一郎 / Yuichiro Ikuma / イクマ ユウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 庄司 雄哉 / Yuya Shoji / ショウジ ユウヤ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 正史 / Masashi Kuwahara / クワハラ マサシ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 暁民 / Xiaomin Wang / ワン シャオミン
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 金高 健二 / Kenji Kintaka / キンタカ ケンジ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 河島 整 / Hitoshi Kawashima / カワシマ ヒトシ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊崎 達也 / Tatsuya Toyosaki / トヨサキ タツヤ
第8著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 裕之 / Hiroyuki Tsuda / ツダ ヒロユキ
第9著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者
発表日時 2010-08-27 14:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-EMD2010-53,IEICE-CPM2010-69,IEICE-OPE2010-78,IEICE-LQE2010-51 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.178(EMD), no.179(CPM), no.180(OPE), no.181(LQE) 
ページ範囲 pp.127-130 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EMD-2010-08-19,IEICE-CPM-2010-08-19,IEICE-OPE-2010-08-19,IEICE-LQE-2010-08-19 


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