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講演抄録/キーワード
講演名 2010-07-29 14:55
触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
田原将巳三浦仁嗣黒田朋義西山 洋・○安井寛治長岡技科大CPM2010-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-33
抄録 (和) ジルコニアに担持した白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法を開発した。この高エネルギーH2O分子とアルキル亜鉛ガスとの反応により生成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、サファイア基板上にZnO結晶膜を成長させた。A面サファイア基板上に成長させたZnO膜についてHall効果測定を行ったところ室温でのHall移動度168 cm2/Vs、残留キャリア密度1.6×1017 cm-3という従来のMOCVD法によるZnO結晶膜に比べはるかに良好な電気伝導特性を示した。またX線回折パターンでは(0002)および(0004)回折等、c軸配向を示す回折線のみがみられ(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は273 arcsecと小さく配向性も良好であった。サファイア基板をリファレンスにしたサンプルの透過率は、可視•近赤外領域で95%以上と非常に透明であった。 
(英) We have developed a new CVD method for thin film growth of metal oxides using a reaction between organometallic compounds and high-energy H2O produced by a Pt-catalyzed H2O2 reaction. Using this CVD method, epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates was investigated. ZnO epitaxial films were grown directly on a-plane (11-20) sapphire substrates at substrate temperatures of 573-873 K without buffer layer. X-ray diffraction patterns exhibited intense (0002) and (0004) peaks from the ZnO(0001) index plane. The smallest full width at half maximum (FWHM) value of the ω-rocking curve of ZnO(0002) was less than 0.1deg (273 arcsec). The Hall mobility and residual carrier concentration of the epilayers were in the ranges 140-168 cm2V1s1 and 1.6-6×1017 cm3, respectively. Optical transparency of the ZnO samples grown on the sapphire substrates was more than 95% that of the sample without ZnO film.
キーワード (和) ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / X線回折パターン / Hall移動度 / 光透過率 / /  
(英) ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / X-ray diffraction pattern / Hall mobility / optical transparency / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 154, CPM2010-33, pp. 11-15, 2010年7月.
資料番号 CPM2010-33 
発行日 2010-07-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2010-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-33

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2010-07-29 - 2010-07-30 
開催地(和) 道の駅しゃり 会議室 
開催地(英) Michino-Eki Shari Meeting Room 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2010-07-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial growth of ZnO films using hot water molecules generated by catalytic reaction 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(2)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction  
キーワード(3)(和/英) 高エネルギーH2O / high-energy H2O  
キーワード(4)(和/英) X線回折パターン / X-ray diffraction pattern  
キーワード(5)(和/英) Hall移動度 / Hall mobility  
キーワード(6)(和/英) 光透過率 / optical transparency  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田原 将巳 / Masami Tahara / タハラ マサミ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaok University of Technology (略称: Nagoka Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 仁嗣 / Hitoshi Miura / ミウラ ヒトシ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaok University of Technology (略称: Nagoka Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 朋義 / Tomoyoshi Kuroda / クロダ トモヨシ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaok University of Technology (略称: Nagoka Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 洋 / Hiroshi Nishiyama / ニシヤマ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaok University of Technology (略称: Nagoka Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaok University of Technology (略称: Nagoka Univ. of Tech.)
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講演者
発表日時 2010-07-29 14:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2010-33 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.154 
ページ範囲 pp.11-15 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-CPM-2010-07-22 


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