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講演抄録/キーワード
講演名 2010-07-22 13:15
バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討
田中雅光赤池宏之藤巻 朗高木一義名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一SRL/JST)・高木直史京大/JSTSCE2010-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2010-20
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 139, SCE2010-20, pp. 37-40, 2010年7月.
資料番号 SCE2010-20 
発行日 2010-07-15 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2010-07-22 - 2010-07-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 信号処理基盤技術及びその応用、一般 
テーマ(英) Signal processing technologies and their applications, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2010-07-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation to Speed Up Single-flux-quantum Circuits by Applying Higher Bias Voltage 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 雅光 / Masamitsu Tanaka / タナカ マサミツ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 名大/JST)
Nagoya University/CREST-JST (略称: Nagoya Univ./JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 名大/JST)
Nagoya University/CREST-JST (略称: Nagoya Univ./JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 名大/JST)
Nagoya University/CREST-JST (略称: Nagoya Univ./JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 一義 / Kazuyoshi Takagi / タカギ カズヨシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 名大/JST)
Nagoya University/CREST-JST (略称: Nagoya Univ./JST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 信行 / Nobuyuki Yoshikawa / ヨシカワ ノブユキ
第5著者 所属(和/英) 横浜国立大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 横浜国大/JST)
Yokohama National University/CREST-JST (略称: Yokohama National Univ./JST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 永沢 秀一 / Shuichi Nagasawa / ナガサワ シュウイチ
第6著者 所属(和/英) 超電導工学研究所/戦略的創造研究推進事業 (略称: SRL/JST)
Superconductivity Research Laboratory/CREST-JST (略称: SRL/JST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 直史 / Naofumi Takagi / タカギ ナオフミ
第7著者 所属(和/英) 京都大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 京大/JST)
Kyoto University/CREST-JST (略称: Kyoto Univ./JST)
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講演者
発表日時 2010-07-22 13:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SCE 
資料番号 IEICE-SCE2010-20 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.139 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SCE-2010-07-15 


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