講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-07-16 12:35
ハンマリング加振機構による電気接点劣化現象 ~ 接触抵抗について(その13) ~ 和田真一・○園田健人・越田圭治・サインダー ノロブリン・小田部正能・久保田洋彰(TMCシステム)・澤 孝一郎(日本工大) EMCJ2010-32 EMD2010-17 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2010-17 |
抄録 |
(和) |
著者らは,鉛直方向においてハンマリング加振機構によって電気接点に対する微小振動が接触抵抗に与える影響を検討してきた.本研究では,モバイル機器に補助記憶装置として使用されており,その耐振動特性を解析する必要があると考えられるSDメモリーカードを被加振対象とした.実験の結果,2000万回の加振後に電気接点の劣化現象が見られた.接触抵抗値変動と接触表面状態には相関が見られた.微小振動がSDメモリーカードの電気接点に与える影響について考察できる可能性が示唆された. |
(英) |
Authors studied the influence on contact resistance by micro-vibration to electrical contacts using hammering oscillation mechanism. In this paper, SD memory cards used in the mobile machinery for auxiliary storage unit were used as experimental materials because of the necessity of analysis about characteristics for oscillation. As a result of the experiment, it was shown that there was degradation phenomenon of electrical contacts after 20 millions hammerings and correlation between fluctuation of contact resistance and condition of contact surface. It was suggested that there was the influence on contact resistance by micro-vibration. |
キーワード |
(和) |
電気接点 / 微小振動 / 接触抵抗 / ハンマリング加振機構 / 接触力 / SDメモリーカード / / |
(英) |
electrical contact / micro-oscillation / contact resistance / hammering oscillating mechanism / contact force / SD memory card / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 133, EMD2010-17, pp. 1-6, 2010年7月. |
資料番号 |
EMD2010-17 |
発行日 |
2010-07-09 (EMCJ, EMD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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