お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-07-15 15:15
電源系パターンの寄生容量を考慮したデカップリングインダクタの配置
矢野佑典五百旗頭健吾豊田啓孝古賀隆治岡山大EMCJ2010-28
抄録 (和) デカップリングキャパシタを実装することで,デカップリングキャパシタが持つESLと電源系パターンの寄生容量が共振を起こし,IC/LSIのスイッチングに起因する高周波電流が増加する場合がある.本報告では,この問題について述べ,対策法としてデカップリングインダクタの配置について検討し,電源端子電流の低減効果をシミュレーションにより確認した.DUTとして,汎用ロジックICを実装した25 mm角のプリント基板を用い,シミュレーションにはLECCSモデルを使用した.
その結果,寄生のキャパシタよりIC側にデカップリングインダクタを挿入した場合には,低周波において鋭いピークがみられるものの,高周波電流を大きく低減できることを示した.さらに,寄生のキャパシタより外部にデカップリングインダクタを挿入した場合には,電源端子電流を全周波数において低減できることを示した.また,チップ部の電源端子間の電位差をシミュレーションし,PIへの影響は十分小さいことを確認した. 
(英) High-frequency current caused by simultaneous switching of digital gates can be increased with decoupling capacitors,because equivalent series inductance (ESL) of the decoupling capacitors makes resonance with parasitic capacitance on power distribution network trace.
In this report, we discussed the location of decoupling inductors as a countermeasure and to reduce the high frequency power current by a circuit simulation.
We employed a four-layered printed circuit board as a device under test. The board included an oscillation circuit with a versatile inverter IC and a power distribution network.The board was modeled with a linear equivalent circuit and a current source (LECCS) for the circuit simulations of the RF powe current and power bounce.
Results of the circuit simulations showed that reduction of the RF power current was larger with a decoupling inductor placed between the decoupling capacitor and the parasitic capacitance than out side the parasitic capacitance, though a peak current could be occur due to a resonance the parasitic capacitance contributed.
The RF power current was reduced at all frequencies even when the decoupling inductor was placed outside the parasitic capacitance.
In addition, in order to investigate influence on power integrity (PI) performance of the IC,potential difference between power terminals of chip was calculated.
The simulation results showed that the decoupling inductors caused trivial deterioration in PI performance of the IC.
キーワード (和) デカップリングキャパシタ / デカップリングインダクタ / 寄生容量 / IC / EMC / 電源系高周波電流 / LECCSモデル /  
(英) Decoupling capacitor / Decoupling Inductor / Parasitic Capacitor / IC / EMC / RF power current / LECCS /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 125, EMCJ2010-28, pp. 39-44, 2010年7月.
資料番号 EMCJ2010-28 
発行日 2010-07-08 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2010-28

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2010-07-15 - 2010-07-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 若手研究者発表会 
テーマ(英) Presentation Contest of Young Scientist Award 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2010-07-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電源系パターンの寄生容量を考慮したデカップリングインダクタの配置 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effective Position of Decoupling Inductor Taking Parasitic Capacitances on Power Distribution Network Traces into Account 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) デカップリングキャパシタ / Decoupling capacitor  
キーワード(2)(和/英) デカップリングインダクタ / Decoupling Inductor  
キーワード(3)(和/英) 寄生容量 / Parasitic Capacitor  
キーワード(4)(和/英) IC / IC  
キーワード(5)(和/英) EMC / EMC  
キーワード(6)(和/英) 電源系高周波電流 / RF power current  
キーワード(7)(和/英) LECCSモデル / LECCS  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 佑典 / Yusuke Yano / ヤノ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 五百旗頭 健吾 / Kengo Iokibe / イオキベ ケンゴ
第2著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊田 啓孝 / Yoshitaka Toyota / トヨタ ヨシタカ
第3著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古賀 隆治 / Ryuji Koga / コガ リュウジ
第4著者 所属(和/英) 岡山大学 (略称: 岡山大)
Okayama University (略称: Okayama Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2010-07-15 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2010-28 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.125 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数
発行日 2010-07-08 (EMCJ) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会