講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-07-15 15:15
電源系パターンの寄生容量を考慮したデカップリングインダクタの配置 ○矢野佑典・五百旗頭健吾・豊田啓孝・古賀隆治(岡山大) EMCJ2010-28 |
抄録 |
(和) |
デカップリングキャパシタを実装することで,デカップリングキャパシタが持つESLと電源系パターンの寄生容量が共振を起こし,IC/LSIのスイッチングに起因する高周波電流が増加する場合がある.本報告では,この問題について述べ,対策法としてデカップリングインダクタの配置について検討し,電源端子電流の低減効果をシミュレーションにより確認した.DUTとして,汎用ロジックICを実装した25 mm角のプリント基板を用い,シミュレーションにはLECCSモデルを使用した.
その結果,寄生のキャパシタよりIC側にデカップリングインダクタを挿入した場合には,低周波において鋭いピークがみられるものの,高周波電流を大きく低減できることを示した.さらに,寄生のキャパシタより外部にデカップリングインダクタを挿入した場合には,電源端子電流を全周波数において低減できることを示した.また,チップ部の電源端子間の電位差をシミュレーションし,PIへの影響は十分小さいことを確認した. |
(英) |
High-frequency current caused by simultaneous switching of digital gates can be increased with decoupling capacitors,because equivalent series inductance (ESL) of the decoupling capacitors makes resonance with parasitic capacitance on power distribution network trace.
In this report, we discussed the location of decoupling inductors as a countermeasure and to reduce the high frequency power current by a circuit simulation.
We employed a four-layered printed circuit board as a device under test. The board included an oscillation circuit with a versatile inverter IC and a power distribution network.The board was modeled with a linear equivalent circuit and a current source (LECCS) for the circuit simulations of the RF powe current and power bounce.
Results of the circuit simulations showed that reduction of the RF power current was larger with a decoupling inductor placed between the decoupling capacitor and the parasitic capacitance than out side the parasitic capacitance, though a peak current could be occur due to a resonance the parasitic capacitance contributed.
The RF power current was reduced at all frequencies even when the decoupling inductor was placed outside the parasitic capacitance.
In addition, in order to investigate influence on power integrity (PI) performance of the IC,potential difference between power terminals of chip was calculated.
The simulation results showed that the decoupling inductors caused trivial deterioration in PI performance of the IC. |
キーワード |
(和) |
デカップリングキャパシタ / デカップリングインダクタ / 寄生容量 / IC / EMC / 電源系高周波電流 / LECCSモデル / |
(英) |
Decoupling capacitor / Decoupling Inductor / Parasitic Capacitor / IC / EMC / RF power current / LECCS / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 125, EMCJ2010-28, pp. 39-44, 2010年7月. |
資料番号 |
EMCJ2010-28 |
発行日 |
2010-07-08 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EMCJ2010-28 |