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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 16:15 Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2010-122 SDM2010-123 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-122 SDM2010-123 |
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| 抄録 | （和） | The efficiency and stability of electron injection from the electrode to the nano-structure is one of the most important issues for the future nano-electronic devices. In order to reveal the electron injection process to the nano-structure, we have investigated the transient current characteristics of Si-nano dot floating-gate memory. We have reported a collective motion of electrons between the two-dimensional electron gas and the nano-dot based on the measurement of the Si Nano-Dot floating gate Memory. In this study, by extending our conventional tunneling model, we propose the collective tunneling model, which supports the collective motion of electrons, and this insight is useful for designing future nano-electronic devices. |
| （英） | The efficiency and stability of electron injection from the electrode to the nano-structure is one of the most important issues for the future nano-electronic devices. In order to reveal the electron injection process to the nano-structure, we have investigated the transient current characteristics of Si-nano dot floating-gate memory. We have reported a collective motion of electrons between the two-dimensional electron gas and the nano-dot based on the measurement of the Si Nano-Dot floating gate Memory. In this study, by extending our conventional tunneling model, we propose the collective tunneling model, which supports the collective motion of electrons, and this insight is useful for designing future nano-electronic devices. | |
| キーワード | （和） | Electron Dynamics / Collective Motion of Electron / Si-Nano Dots / Quantum Dot / 2DEG / Nano-Electronics / Tunneling / Si-Nano Dots Floating Gate MOS Capacitor |
| （英） | Electron Dynamics / Collective Motion of Electron / Si-Nano Dots / Quantum Dot / 2DEG / Nano-Electronics / Tunneling / Si-Nano Dots Floating Gate MOS Capacitor | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-123, pp. 319-324, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-123 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-122 SDM2010-123 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-122 SDM2010-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Electron Dynamics / Electron Dynamics |
| キーワード(2)（和/英） | Collective Motion of Electron / Collective Motion of Electron |
| キーワード(3)（和/英） | Si-Nano Dots / Si-Nano Dots |
| キーワード(4)（和/英） | Quantum Dot / Quantum Dot |
| キーワード(5)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(6)（和/英） | Nano-Electronics / Nano-Electronics |
| キーワード(7)（和/英） | Tunneling / Tunneling |
| キーワード(8)（和/英） | Si-Nano Dots Floating Gate MOS Capacitor / Si-Nano Dots Floating Gate MOS Capacitor |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村口 正和 / Masakazu Muraguchi / ムラグチ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫻井 蓉子 / Yoko Sakurai / サクライ ヨウコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 幸宏 / Yukihiro Takada / タカダ ユキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 晋太郎 / Shintaro Nomura / ノムラ シンタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重田 育照 / Yasuteru Shigeta / シゲタ ヤステル |
| 第9著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 16:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-122, SDM2010-123 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.319-324 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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