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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-30 14:55
The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
Guobin WeiYuta GotoAkio OhtaKatsunori MakiharaHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-57 SDM2010-58
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Resistive switching of Metal-Insulator-Metal (MIM) consisting of a MOCVD TiO2 layer sandwiched with Pt
electrodes has been measured systematically before and after thermal anneal in different ambiences. With H2 anneal at 400ºC,
the current level in the high-resistive state (HRS) was significantly decreased while little change in the low-resistive state
(LRS) was observable. As a result, the switching ratio over 7 order of magnitude in current level was obtained. From the
analysis of current-voltage (I-V) characteristics in HRS and LRS, we found that the LRS was characterized with an ohmic
conduction while, in the HRS after H2 anneal, charge trapping became significant as a result of significant decrease in the
current level. In a separate experiment, a partial reduction of TiO2 was detected by high-resolution X-ray photoelectron
spectroscopy (XPS) measurements after switching from HRS to LRS by using a mercury probe as a top electrode, which is
associated with the filament formation.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) ReRAM / TiO2 / Low Temperature / H2 Anneal / Charge Trapping / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-58, pp. 31-36, 2010年6月.
資料番号 SDM2010-58 
発行日 2010-06-23 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-06-30 - 2010-07-02 
開催地(和) 東工大 大岡山キャンパス 
開催地(英) Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus 
テーマ(和) 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) 
テーマ(英) 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-06-ED-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) / TiO2  
キーワード(3)(和/英) / Low Temperature  
キーワード(4)(和/英) / H2 Anneal  
キーワード(5)(和/英) / Charge Trapping  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 尉 国浜 / Guobin Wei / ウェイ ゴビン
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 優太 / Yuta Goto / ゴトウ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
発表日時 2010-06-30 14:55:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2010-57,IEICE-SDM2010-58 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.109(ED), no.110(SDM) 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2010-06-23,IEICE-SDM-2010-06-23 


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