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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-30 16:00
Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices
Hiroyuki OkazakiTaketomo SatoNaoki YoshizawaTamotsu HashizumeHokkaido UnivED2010-71 SDM2010-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-71 SDM2010-72
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-71, pp. 85-89, 2010年6月.
資料番号 ED2010-71 
発行日 2010-06-23 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-06-30 - 2010-07-02 
開催地(和) 東工大 大岡山キャンパス 
開催地(英) Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus 
テーマ(和) 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) 
テーマ(英) 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-06-ED-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡崎 拓行 / Hiroyuki Okazaki / オカザキ ヒロユキ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉澤 直樹 / Naoki Yoshizawa / ヨシザワ ナオキ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ)
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講演者
発表日時 2010-06-30 16:00:00 
発表時間 15 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-71,IEICE-SDM2010-72 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.109(ED), no.110(SDM) 
ページ範囲 pp.85-89 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2010-06-23,IEICE-SDM-2010-06-23 


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