研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2010-06-22 - 2010-06-22 |
開催地(和) |
東京大学(生産研An棟) |
開催地(英) |
An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
テーマ(和) |
ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) |
テーマ(英) |
Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2010-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Study of stacked NOR type MRAM for universal memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
玉井 翔人 / Shouto Tamai / タマイ ショウト |
第1著者 所属(和/英) |
湘南工科大学大学院 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
第2著者 所属(和/英) |
湘南工科大学大学院 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 所属(和/英) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2010-06-22 15:55:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2010-46 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.90 |
ページ範囲 |
pp.73-78 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2010-06-15 (SDM) |