講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-06-22 14:10
High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎(産総研)・山田 永・福原 昇・秦 雅彦(住友化学)・大竹晃浩(物質・材料研究機構)・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一(東大) SDM2010-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-42 |
抄録 |
(和) |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl2O3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する. |
(英) |
There has been a significant interest in the III-V channel MISFET technology which expectedly enables performance improvement and power reduction when the gate length is scaled down to sub-10 nm. Combination of In-containing III-V matertials and ALD-deposited Al2O3 forms MIS interfaces with relatively low interface trap densities, allowing for the nMIS operation. In this report, we first identify the factors that possibly influence the generation and energy distribution of the interface traps at the high-k/III-V interfaces. We then discuss how the MIS properties are related to the chemical compositions and bonding structures of anions and cations at the interface. |
キーワード |
(和) |
III-Vチャネル / MISFET / 界面準位 / ALD / InGaAs / InP / Al2O3 / |
(英) |
III-Vchannel / MISFET / interface trap / ALD / InGaAs / InP / Al2O3 / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-42, pp. 49-54, 2010年6月. |
資料番号 |
SDM2010-42 |
発行日 |
2010-06-15 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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