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| 講演名 | 2010-06-22 12:05 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討 ○DongHun Lee・金島 岳・奥山雅則（阪大）  SDM2010-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-39 |
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| 抄録 | （和） | Siより高い移動度を持つGeは高性能メモリデバイスになる次世代半導体材料として注目されている。しかし、Geは界面準位が多く、Siの様にHで表面を安定化することが困難になる問題がある。この問題を解決するために、Ge表面ダングリングボンドを終端化する研究が様々なところで行っている。そこで、我々はGe表面終端化について理論的な解析を行った。半経験分子軌道法によるMOPAC2009プログラムを用いて、Ge(100)表面と43種類の元素との反応性を考察することで、水素よりGe表面ダングリングボンドを終端しやすい新材料を探した。その計算結果、 B、N、Co、H、Cl、Br、FはGe表面上約2Å付近で表面ダングリングボンドを終端させ、Ge(100)表面が安定な表面構造を保ちながら、エネルギー的にも安定になった。特に、 F(フッ素) とB(ホウ素)は水素より表面との反応性が高くて、Ge表面安定化処理材料として、可能性が高いと考えられる。 |
| （英） | Germanium (Ge) is highlighted as a candidate semiconductor of high speed transistor because of its higher carrier mobility than that of Si. However, it is well known that Ge surface is not passivated easily by wet chemical treatment or by hydrogen treatment unlike Si surface. In this study, we have theoretically simulated the chemical reactivity of various atoms with Ge(100) surface for searching adequate ambient treatment by using molecular orbital method. As the result, we have confirmed that Ge surface is more stable by fluorine and boron than hydrogen. | |
| キーワード | （和） | 半経験的分子軌道法 / Mopac2009 / Ge / 表面処理 / フッ素処理 / / / |
| （英） | Semi-empirical molecular / Mopac2009 / Ge / Surface treatment / Fluorine treatment / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-39, pp. 33-37, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-39 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Orbital Analysis of Stability of Ge(100) Surface Terminated by Various Atoms |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半経験的分子軌道法 / Semi-empirical molecular |
| キーワード(2)（和/英） | Mopac2009 / Mopac2009 |
| キーワード(3)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | 表面処理 / Surface treatment |
| キーワード(5)（和/英） | フッ素処理 / Fluorine treatment |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | DongHun Lee / DongHun Lee / イ ドンフン |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金島 岳 / Takeshi Kanashima / カナシマ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥山 雅則 / Masanori Okuyama / オクヤマ マサノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 12:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-39 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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