講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-06-22 09:55
原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之(産総研) SDM2010-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-34 |
抄録 |
(和) |
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として,シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている.このトランジスタを実用化する上での最大の課題は,デバイス構造の各部を1 nm以下の高精度で製作する要素技術の確立である.我々は原子スケールの構造制御技術の確立を目標に,シリコンナノワイヤの整形加工技術ならびに低抵抗ソース・ドレイン形成技術の研究開発を行なっている.酸素エッチング法は酸素を用いてSi表面を原子層エッチングする方法であり,シリコンナノワイヤの高精度な細線化に実用できることを確認した.Si結晶との格子整合に優れたNiSi2のエピタキシャル膜を低温合成する方法を開発し,これをメタルソース・ドレイン構造として適用したトランジスタの性能を評価した.開発したこれらの技術は科学的根拠に基づいており,将来のVLSI製造技術としての十分な可能性を有している. |
(英) |
Process technology with atomic-scale precision is indispensable for fabrication of silicon nanowire MOSFETs. We present our developments of process technologies based on atomic-scale design concepts. The first is an O2 etching technology which enables atomic-layer etching of Si surface using active oxidation condition. The second is a metal source/drain technology using epitaxial NiSi2 films prepared by a low annealing temperature. Physics of these process technologies confirm their applicability in top-down style VLSI production fields. |
キーワード |
(和) |
シリコンナノワイヤ / トランジスタ / 酸素エッチング / 原子層エッチング / メタルソース・ドレイン / ニッケルシリサイド / エピタキシャル成長 / 成長自己停止作用 |
(英) |
Silicon Nanowire / MOSFET / O2 etching / atomic-layer etching / metal source and drain / nickel silicide / epitaxial growth / self-limiting growth |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-34, pp. 5-10, 2010年6月. |
資料番号 |
SDM2010-34 |
発行日 |
2010-06-15 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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