お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-22 14:35
GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御
喜多浩之東大/JST)・王 盛凱李 忠賢吉田まほろ東大)・西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大/JSTSDM2010-43 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-43
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-43, pp. 55-60, 2010年6月.
資料番号 SDM2010-43 
発行日 2010-06-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-43 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-43

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-06-22 - 2010-06-22 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Control of GeO2 Properties and Improvement of Ge/GeO2 Interface Characteristics Based on the Understanding of Geo2/Ge Interface Reaction 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) /  
キーワード(2)(和/英) /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 喜多 浩之 / Koji Kita / キタ コウジ
第1著者 所属(和/英) 東京大学/JST-CREST (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/JST-CREST (略称: Univ. of Tokyo/JST-CREST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 盛凱 / Sheng Kai Wang / ワン シェンガイ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 忠賢 / ChoongHyun Lee / リ チュンヒュン
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 まほろ / Mahoro Yoshida / ヨシダ マホロ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ
第5著者 所属(和/英) 東京大学/JST-CREST (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/JST-CREST (略称: Univ. of Tokyo/JST-CREST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 長汐 晃輔 / Kosuke Nagashio / ナガシオ コウスケ
第6著者 所属(和/英) 東京大学/JST-CREST (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/JST-CREST (略称: Univ. of Tokyo/JST-CREST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第7著者 所属(和/英) 東京大学/JST-CREST (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/JST-CREST (略称: Univ. of Tokyo/JST-CREST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2010-06-22 14:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-43 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.90 
ページ範囲 pp.55-60 
ページ数
発行日 2010-06-15 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会