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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 10:20 キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大）  SDM2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-35 |
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| 抄録 | （和） | 高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(SiNW FET)は期待されている。今回試作を行い、特にSiNW nFETにおいて高い規格化ON電流(ION)を得ることができた。チャネル断面形状は曲率のある角を持つ四角形であり、この角の周辺に反転電子密度の高い領域を持つことが2次元デバイスシミュレーションで明らかになった。Advanced Split-CV法を用いたマルチチャネルSiNW FETの測定により、周囲長で規格化した反転電荷密度(Qinv)は断面寸法が小さいほど大きくなり、シミュレーションで得られた結果を実証した。また、SiNW nFETの反転電子移動度はplanar SOI nFETを大きく上回った。これらの要因によりSiNW nFETにおいて高いIONが得られたと考えられる。一方、SiNW pFETではQinvの増大はみられたが実効正孔移動度向上のメリットは小さかった。 |
| （英） | Silicon nanowire FET is expected to have high ION and low IOFF compared with planar FET, which results in low-power consumption device by reduction of power supply voltage. High ION of 1600 uA/um of SiNW nFET @ Vg-Vth=1.0V was achieved with rectangular cross-sectional shape. Two-dimensional device simulation showed that high inversion electron density regions were formed along the corners of the SiNW FETs. Experimental results of advanced split-CV technique showed that as the cross-sectional dimensions decrease inversion carrier density normalized by peripheral length increased, which coincides with the simulation results. Effective electron mobility of SiNW nFET surpassed that of planar SOI nFET. The high carrier density and effective mobility leads to high ION of SiNW nFETs. | |
| キーワード | （和） | シリコンナノワイヤトランジスタ / SOI / Split-CV法 / 実効移動度 / ON電流 / 反転電荷密度 / / |
| （英） | silicon nanowire FET / SOI / Split-CV technique / corner effect / effective carrier mobility / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-35, pp. 11-16, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-35 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Analysis of Electrical Carrier Mobility of Silicon Nanowire FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンナノワイヤトランジスタ / silicon nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | Split-CV法 / Split-CV technique |
| キーワード(4)（和/英） | 実効移動度 / corner effect |
| キーワード(5)（和/英） | ON電流 / effective carrier mobility |
| キーワード(6)（和/英） | 反転電荷密度 / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 創志 / Soshi Sato / サトウ ソウシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | パールハット アヘメト / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモウリ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク |
| 第7著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-35 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.11-16 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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