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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 15:15 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大）  SDM2010-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-44 |
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| 抄録 | （和） | 本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入することでSRAMの読み出しの安定性を70%向上させる手法を提案する．本提案手法は電子注入を多数のセルにおいて同時に行うことが可能である．また，電子はパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に局所的に注入されるため，しきい値電圧が読み出し時と書き込み時に非対称なパスゲートトランジスタになっており，書き込み特性の劣化なくスタティックノイズマージンを24%向上することができる．本手法はチップ作製後に電子注入を行うためプロセスの追加やセル面積の増加がない． |
| （英） | A VTH mismatch self-repair scheme in 6T-SRAM with asymmetric PG transistor by post-process local electron injection is proposed. The asymmetric VTH shift is doubled from the conventional scheme without process and area penalty. Measurement results show 24% increase in SNM without write degradation by the asymmetric PG transistor. 70% read margin enhancement is achieved by the proposed scheme. | |
| キーワード | （和） | SRAM / VTHばらつき / 非対称パスゲートトランジスタ / 読み出し安定性 / 自己修復 / ゼロプロセスコスト / デバイス作製後 / 電子局在注入 |
| （英） | SRAM / VTH variation / asymmetric pass gate transistor / read margin / self-repair / zero-cost / post-process / local electron injection | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-44, pp. 61-65, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-44 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 70% Read Margin Enhancement by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor by Zero Additional Cost, Post-Process, Local Electron Injection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | VTHばらつき / VTH variation |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称パスゲートトランジスタ / asymmetric pass gate transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 読み出し安定性 / read margin |
| キーワード(5)（和/英） | 自己修復 / self-repair |
| キーワード(6)（和/英） | ゼロプロセスコスト / zero-cost |
| キーワード(7)（和/英） | デバイス作製後 / post-process |
| キーワード(8)（和/英） | 電子局在注入 / local electron injection |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学電気系工学専攻 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 健太郎 / Kentaro Honda / ホンダ ケンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学電気系工学専攻 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学電気系工学専攻 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 15:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-44 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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