講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-06-18 11:25
欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 ○高橋昌男・東 裕子・成田比呂晃・岩佐仁雄・小林 光(阪大/JST) ED2010-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-45 |
抄録 |
(和) |
1ppmの極めて稀薄なHCN水溶液を用いた5分間の洗浄で、SiO_{2}表面上の汚染銅(10^{12}-10^{13}原子/cm^{2}オーダ)を全反射蛍光X線分析装置の検出下限(3×10^{9}原子/cm^{2})以下まで除去できる。2.7ppmの洗浄溶液では、2分以下の洗浄で汚染銅が除去できる。HCN水溶液の洗浄能力は、シアン化物イオン(CN^{-}イオン)が非常に安定な銅シアノ錯イオンを形成して汚染銅を除去し、再付着が生じないことによる。全反射配置のXANESスペクトルと蛍光X線強度の励起X線入射角度依存性の測定より、Cu_{2}OやCu(OH)_{2}類似の化学状態を持つ1×10^{10}原子/cm^{2}の濃度の汚染銅がSiO_{2}表面上に付着していると結論した。ベアシリコン上の汚染銅の場合は、pHを9以下に調節した270ppmのHCN水溶液を用いることで、表面のエッチングや荒れを生じることなく、5分間で3×10^{9}原子/cm^{2}以下まで銅を除去できる。 |
(英) |
Dilute HCN aqueous solutions with a concentration of 1ppm can remove Cu contaminants of 10^{12}~10^{13} atomc/cm^{2} concentrations on SiO_{2} surfaces to a concentration below ~3×10^{9} atoms/cm^{2} taking 5 min. The high cleaning ability of HCN aqueous solutions is attributable to the high reactivity of CN^{-} ions to form metal-cyano complex ions with a high stability constant in aqueous solutions, leading to prevention of re-adsorption. It has been found, from XANES spectra and the incidence angle dependence of total reflection X-ray fluorescence intensity, that Cu contaminants with a 1×10^{10} atoms/cm^{2} concentration resemble to Cu_{2}O and Cu(OH)_{2}. In the case of bare silicon substrates, Cu contaminants can be removed without etching and roughening surfaces by adjusting pH of HCN aqueous solutions below 9. |
キーワード |
(和) |
洗浄 / シアン化水素 / シアン化法 / 表面 / 化学状態 / XANES / 全反射蛍光X線 / |
(英) |
Cleaning / Cyanide method / Hydrogen cyanide / Surfaces / Chemical state / XANES / TXRF / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-45, pp. 63-68, 2010年6月. |
資料番号 |
ED2010-45 |
発行日 |
2010-06-10 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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