講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-06-18 11:50
ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ○渡辺大祐(ダイキン工業)・木村千春・青木秀充(阪大) ED2010-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-46 |
抄録 |
(和) |
次世代の高誘電率材料(High-K)ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造(High-K/メタルゲート構造) における High-K 膜除去プロセスにおいて発生するガルバニックコロージョンは、光照射によって、コロージョン速度が加速されることが懸念される。本研究では、High-K 膜除去プロセスにおけるガルバニックコロージョンに対しての光照射の影響を検討した。その結果、n 型 Si では、光照射によってガルバニックコロージョンは加速されることが明らかになった。Si のバンドギャップエネルギー以上の光エネルギーの照射によって、ガルバニックコロージョンが加速されることも明らかになり、可視光の全域を遮断することが重要である。界面活性剤による防食を試みたが、光コロージョンに対しては、防食の効果はあまり見られなかった。したがって、High-K/メタルゲートにおける光コロージョンは、特に n 型 poly-Si に対して、Si のバンドギャップ以上の光、つまり可視光全域を遮断するプロセスが重要であることを明らかにした。 |
(英) |
Wet processes for removing high-k film involve the risk of enhanced galvanic corrosion at the gate electrode level. We found that the galvanic corrosion of the metal gate in front-end-of-line (FEOL) was markedly enhanced by room light irradiation. Additive surfactants cannot suppress the galvanic corrosion with light irradiation in DHF. The interception of light irradiation during the wet processes in FEOL as well as the wet process in back-end-of-line (BEOL) is also required. |
キーワード |
(和) |
ガルバニックコロージョン / 光コロージョン / High-K / メタルゲート / ウェットプロセス / 希フッ化水素酸 / / |
(英) |
galvanic corrosion / photo corrosion / High-K / metal gate / wet process / DHF / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-46, pp. 69-74, 2010年6月. |
資料番号 |
ED2010-46 |
発行日 |
2010-06-10 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2010-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-46 |