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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-18 11:50
ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン
渡辺大祐ダイキン工業)・木村千春青木秀充阪大ED2010-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-46
抄録 (和) 次世代の高誘電率材料(High-K)ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造(High-K/メタルゲート構造) における High-K 膜除去プロセスにおいて発生するガルバニックコロージョンは、光照射によって、コロージョン速度が加速されることが懸念される。本研究では、High-K 膜除去プロセスにおけるガルバニックコロージョンに対しての光照射の影響を検討した。その結果、n 型 Si では、光照射によってガルバニックコロージョンは加速されることが明らかになった。Si のバンドギャップエネルギー以上の光エネルギーの照射によって、ガルバニックコロージョンが加速されることも明らかになり、可視光の全域を遮断することが重要である。界面活性剤による防食を試みたが、光コロージョンに対しては、防食の効果はあまり見られなかった。したがって、High-K/メタルゲートにおける光コロージョンは、特に n 型 poly-Si に対して、Si のバンドギャップ以上の光、つまり可視光全域を遮断するプロセスが重要であることを明らかにした。 
(英) Wet processes for removing high-k film involve the risk of enhanced galvanic corrosion at the gate electrode level. We found that the galvanic corrosion of the metal gate in front-end-of-line (FEOL) was markedly enhanced by room light irradiation. Additive surfactants cannot suppress the galvanic corrosion with light irradiation in DHF. The interception of light irradiation during the wet processes in FEOL as well as the wet process in back-end-of-line (BEOL) is also required.
キーワード (和) ガルバニックコロージョン / 光コロージョン / High-K / メタルゲート / ウェットプロセス / 希フッ化水素酸 / /  
(英) galvanic corrosion / photo corrosion / High-K / metal gate / wet process / DHF / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-46, pp. 69-74, 2010年6月.
資料番号 ED2010-46 
発行日 2010-06-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-46

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-06-17 - 2010-06-18 
開催地(和) 北陸先端大 
開催地(英) JAIST 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photo corrosion of Metal Gate Electrodes during Wet 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ガルバニックコロージョン / galvanic corrosion  
キーワード(2)(和/英) 光コロージョン / photo corrosion  
キーワード(3)(和/英) High-K / High-K  
キーワード(4)(和/英) メタルゲート / metal gate  
キーワード(5)(和/英) ウェットプロセス / wet process  
キーワード(6)(和/英) 希フッ化水素酸 / DHF  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 大祐 / Daisuke Watanabe / ワタナベ ダイスケ
第1著者 所属(和/英) ダイキン工業株式会社化学研究開発センター (略称: ダイキン工業)
Chemical R&D Center,Daikin Industries,Ltd. (略称: Daikin Industries,Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 千春 / Chiharu Kimura / キムラ チハル
第2著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科 (略称: 阪大)
Graduate School of Engineering, Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki / アオキ ヒデミツ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学大学院工学研究科 (略称: 阪大)
Graduate School of Engineering, Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-06-18 11:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-46 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.80 
ページ範囲 pp.69-74 
ページ数
発行日 2010-06-10 (ED) 


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