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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-17 13:50
電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用
佐藤威友吉澤直樹岡崎拓行橋詰 保北大ED2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-35
抄録 (和) 電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上にわたり優れた直線性を有する高密度ナノ構造の形成に成功した。この画期的に広い孔壁表面を検出部にもつイオン感応性化学センサを試作した結果、プレーナー構造と比較して40倍以上のpH検出感度を有することが分かった。本構造は、機能性有機分子による修飾も可能で、多様なバイオ化学センサへの応用に有望である。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) ISFET / 多孔質構造 / 化学センサ / InP / 電気化学的手法 / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-35, pp. 11-15, 2010年6月.
資料番号 ED2010-35 
発行日 2010-06-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-35

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-06-17 - 2010-06-18 
開催地(和) 北陸先端大 
開催地(英) JAIST 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrochemical Formation of InP Porous Structures and Their Application to High-Sensitive Chemical Sensors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ISFET /  
キーワード(2)(和/英) 多孔質構造 /  
キーワード(3)(和/英) 化学センサ /  
キーワード(4)(和/英) InP /  
キーワード(5)(和/英) 電気化学的手法 /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉澤 直樹 / Naoki Yoshizawa / ヨシザワ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡崎 拓行 / Hiroyuki Okazaki / オカザキ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2010-06-17 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-35 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.80 
ページ範囲 pp.11-15 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2010-06-10 


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