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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-17 15:15
高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製
山下良美渡邊一世遠藤 聡広瀬信光松井敏明NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2010-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-38
抄録 (和) AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 GHz)で動作可能で,将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている.今回,三層絶縁膜SiN/SiO2/SiNを有するAlGaN/GaN系MIS-HEMTの更なる高周波および出力特性の向上を目指し,ゲートの微細化とともにソース・ドレイン電極間距離Lsdの短縮化とバリア層薄膜化を行った.その結果,ドレイン電流Idと伝達コンダクタンスgmが増大し,Lsd =1.0 μm,ゲート長Lg 45 nmにおいて電流利得遮断周波数fT = 188 GHz, 最大発振周波数fmax = 173 GHzに達した.更にLsd = 1.0 μm,Lg = 80 nm,ゲート幅Wg = 100 μmのMIS-HEMTにおいて利得5.1 dB,出力電力密度182 mW/mmを周波数85 GHzで得た. 
(英) High-power AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising devices for future high-speed and long-range wireless communications to transmit large amount of data; this is because of these transistors can operate at millimeter-wave frequency band (30-300 GHz). In this contribution, we improved radio frequency (RF) and output power characteristics of the AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators by decreasing gate length (Lg), source-drain spacing (Lsd) and thickness of AlGaN barrier layer. As the Lsd decreasing from 2.0 μm to 1.0 μm, the drain current (Id), transconductance (gm), cutoff frequency (fT) and maximum oscillation frequency (fmax) were increased, and we achieved high fT of 188 GHz and fmax of 173 GHz for the 45-nm-gate MIS-HEMT. Furthermore, we also obtained high gain of 5.1 dB and output power density of 182 mW/mm at a frequency of 85 GHz for the MIS-HEMT with 80-nm-long and 100-μm-width gates.
キーワード (和) AlGaN/GaN系MIS-HEMT / 三層絶縁層SiN/SiO2/SiN / 高周波・出力特性 / / / / /  
(英) AlGaN/GaN MIS-HEMT / SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators / RF and output power characteristic / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-38, pp. 25-30, 2010年6月.
資料番号 ED2010-38 
発行日 2010-06-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-38

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-06-17 - 2010-06-18 
開催地(和) 北陸先端大 
開催地(英) JAIST 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of high-frequency and high-power AlGaN/GaN HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN系MIS-HEMT / AlGaN/GaN MIS-HEMT  
キーワード(2)(和/英) 三層絶縁層SiN/SiO2/SiN / SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators  
キーワード(3)(和/英) 高周波・出力特性 / RF and output power characteristic  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ
第1著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communicactions Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communicactions Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第3著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communicactions Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 広瀬 信光 / Nobumitsu Hirose / ヒロセ ノブミツ
第4著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communicactions Technology (略称: NICT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ
第5著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communicactions Technology (略称: NICT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ
第6著者 所属(和/英) 独立行政法人情報通信研究機構/株式会社富士通研究所 (略称: NICT/富士通研)
National Institute of Information and Communicactions Technology/Fujitsu Laboratories Limited (略称: NICT/Fujitsu lab.)
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講演者
発表日時 2010-06-17 15:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-38 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.80 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2010-06-10 


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