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| 講演名 | 2010-05-13 16:00 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機）  MW2010-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2010-17 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたHIC(Hybrid Integrated Circuit)構成のC-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)高出力バランス型増幅器について報告する．バランス型増幅器内部のシングルエンド増幅器について，入出力の負荷インピーダンスを示すスミスチャートの内側のうち，1>|Γ|>0.71の領域が不安定領域であってもバランス型増幅器は無条件安定であることに注目し，高利得化を検討した． GaN HEMTを用いてバランス型増幅器を試作した．その結果，C-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)の広帯域に渡って8.9dB以上の小信号利得，出力電力11W以上の高出力，20%以上のPAEが得られた． |
| （英） | This paper reports on GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) HIC (Hybrid Integrated Circuit) high power amplifier, which features high power and high gain C-X band 83% relative bandwidth. It was found that, a balanced amplifier is absolute stability, when regions(1>|Γ|>0.71) of input and output load impedances for of a single-end amplifier of a broadband amplifier are unstable region. A C-X band GaN HEMT HIC balanced amplifier was manufactured and measured at 40V drain voltage. More than 11W output power and more than 8.9dB small signal gain and 20% PAE (Power Added Efficiency) were obtained at 83% relative bandwidth. |
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| キーワード | （和） | 増幅器 / 広帯域 / GaN HEMT / 3倍帯域 / HIC / MIC / 高出力増幅器 / バランス型増幅器 |
| （英） | Broadband amplifier / GaN HEMT / power amplifier / microwave / band width / balanced amplifier / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 25, MW2010-17, pp. 17-22, 2010年5月. | |
| 資料番号 | MW2010-17 | |
| 発行日 | 2010-05-06 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2010-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2010-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2010-05-13 - 2010-05-14 |
| 開催地（和） | 兵庫県立大学 |
| 開催地（英） | University of Hyogo |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2010-05-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 11W output power C-X band broadband high power balanced amplifier using GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Broadband amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | GaN HEMT / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 3倍帯域 / microwave |
| キーワード(5)（和/英） | HIC / band width |
| キーワード(6)（和/英） | MIC / balanced amplifier |
| キーワード(7)（和/英） | 高出力増幅器 / |
| キーワード(8)（和/英） | バランス型増幅器 / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐越 祐 / Tasuku Kirikoshi / キリコシ タスク |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 晃 / Akira Inoue / イノウエ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano / ヒラノ ヨシヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： MELCO) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-05-13 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2010-17 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.25 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-05-06 (MW) |
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