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講演抄録/キーワード
講演名 2010-05-13 16:15
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
早川泰弘ムカンナン アリバナンドハンゴビンダサミー ラジェッシュ小山忠信百瀬与志美森井久史青木 徹田中 昭岡野泰則静岡大)・小澤哲夫静岡理工科大)・稲富裕光JAXAED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23
抄録 (和) InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料を用いて、中国回収衛星による微小重力環境下実験と1G環境下における地上参照実を行った。また、溶液中の濃度分布を重力レベルの関数として数値解析した。1G下では結晶成長界面形状が重力方向に末広りとなり、重力偏析が起こるのに対して、微小重力下では成長界面形状は平行となり、半径方向の濃度分布は均一となった。また、X線透過法による半導体溶液の濃度分布測定により、低温側のGaSbが高温側のGaSbよりもInSb融液に溶解しやすいことが示された。これらの結果は、重力に起因した溶質対流が混晶半導体の溶解過程と成長過程に影響をもたらすことを示している。 
(英) Microgravity studies on the dissolution and crystallization of InxGa1-xSb have been done using a sandwich combination of InSb and GaSb as the starting material using the Chinese recoverable satellite. The same type of experiment was performed under 1G gravity condition for comparison. From these experiments and the numerical simulation, it is found that the shape of the solid/liquid interface and composition profile in the solution was found to be significantly affected by gravity. The dissolution process of GaSb into InSb melt was observed by X-ray penetration method. GaSb seed was dissolved faster than GaSb feed even though the GaSb feed temperature was higher than that of GaSb seed temperature. These results clearly indicate that solute transport due to gravity affects dissolution and growth processes of alloy semiconductor bulk crystals.
キーワード (和) 微小重力 / 混晶半導体 / X線透過法 / 重力効果 / / / /  
(英) Microgravity / Alloy semiconductor / X-ray penetration method / Gravity effect / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 31, SDM2010-23, pp. 33-38, 2010年5月.
資料番号 SDM2010-23 
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM CPM ED  
開催期間 2010-05-13 - 2010-05-14 
開催地(和) 静岡大学(浜松キャンパス) 
開催地(英) Shizuoka University (Hamamatsu Campus) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-05-SDM-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Gravity on the Growth of Alloy Semiconductors Bulk Crystals 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 微小重力 / Microgravity  
キーワード(2)(和/英) 混晶半導体 / Alloy semiconductor  
キーワード(3)(和/英) X線透過法 / X-ray penetration method  
キーワード(4)(和/英) 重力効果 / Gravity effect  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 早川 泰弘 / Yasuhiro Hayakawa / ハヤカワ ヤスヒロ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ムカンナン アリバナンドハン / Mukannan Arivanandhan / ムカンナン アリバナンドハン
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ゴビンダサミー ラジェッシュ / Govindasamy Rajesh / ゴビンダサミー ラジェッシュ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 忠信 / Tadanobu Koyama / コヤマ タダノブ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 与志美 / Yoshimi Momose / モモセ ヨシミ
第5著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 森井 久史 / Hisashi Morii / モリイ ヒサシ
第6著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 徹 / Toru Aoki / アオキ トウル
第7著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 昭 / Akira Tanaka / タナカ アキラ
第8著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡野 泰則 / Yasunori Okano / オカノ ヤスノ
第9著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 小澤 哲夫 / Tetsuo Ozawa / オザワ テツオ
第10著者 所属(和/英) 静岡理工科大学 (略称: 静岡理工科大)
Shizuoka Institute of Science and Technology (略称: Shizuoka Inst. of Sci.&Tech.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲富 裕光 / Yuko Inatomi /
第11著者 所属(和/英) 宇宙航空研究開発機構 (略称: JAXA)
Japan Aerospace Exploration Agency (略称: JAXA)
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講演者
発表日時 2010-05-13 16:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2010-23,IEICE-CPM2010-13,IEICE-SDM2010-23 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) 
ページ範囲 pp.33-38 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2010-05-06,IEICE-CPM-2010-05-06,IEICE-SDM-2010-05-06 


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