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講演抄録/キーワード
講演名 2010-05-13 14:45
シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究
池田浩也ファイズ サレ静岡大ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20
抄録 (和) シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し,その単電子トンネル動作について理論的評価を行った.その構造は,単電子箱と単電子ポンプを組み合わせた形をしており,半導体ドット内の電子を交流電圧により出し入れして,ドット内電子のエネルギーを低減する.この単電子ポンプ冷却デバイスの等価回路についてクーロンブロッケード条件を計算したところ,ドット内電子数をパラメータとしたハチの巣状の安定状態図(クーロンダイヤモンド)を形成することを見出した.境界線の三重点を囲むように交流電圧をかけたときのデバイス動作について,クーロンブロッケード現象のオーソドックス理論に基づくモンテカルロシミュレーションにより調べたところ,単電子ポンプ動作が実現できることがわかった.それと同時に,半導体ドット内に電子を1個ずつ転送し,複数個の電子を蓄積できることも明らかとなった. 
(英) We have proposed a novel single-electron-refrigerator (SER) device which can be fabricated in Si-on-insulator wafers and theoretically studied its single-electron-tunneling operation. The SER device has a structure of single-electron box combined with single-electron pump (SEP). An equivalent circuit of the SEP refrigerator is represented and its stability diagram (Coulomb diamond) is theoretically calculated. It is found that the stability diagram has a honeycomb structure. Moreover, the operation of the single-electron transfer and single-electron storage is numerically demonstrated using a Monte Carlo simulation based on the orthodox theory of the Coulomb blockade phenomenon.
キーワード (和) シリコン / 量子ドット / 単電子冷却デバイス / 単電子ポンプ / クーロンブロッケード / / /  
(英) silicon / quantum dot / single-electron refrigerator / single-electron pump / Coulomb brockade / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 31, SDM2010-20, pp. 17-21, 2010年5月.
資料番号 SDM2010-20 
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20

研究会情報
研究会 SDM CPM ED  
開催期間 2010-05-13 - 2010-05-14 
開催地(和) 静岡大学(浜松キャンパス) 
開催地(英) Shizuoka University (Hamamatsu Campus) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-05-SDM-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical study on novel Si single-electron refrigerator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン / silicon  
キーワード(2)(和/英) 量子ドット / quantum dot  
キーワード(3)(和/英) 単電子冷却デバイス / single-electron refrigerator  
キーワード(4)(和/英) 単電子ポンプ / single-electron pump  
キーワード(5)(和/英) クーロンブロッケード / Coulomb brockade  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
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講演者
発表日時 2010-05-13 14:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2010-20,IEICE-CPM2010-10,IEICE-SDM2010-20 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) 
ページ範囲 pp.17-21 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2010-05-06,IEICE-CPM-2010-05-06,IEICE-SDM-2010-05-06 


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