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講演抄録/キーワード
講演名 2010-05-13 14:20
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
近藤正樹秦 貴幸岡田 浩若原昭浩古川雄三豊橋技科大)・佐藤真一郎大島 武原子力機構ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 29, ED2010-19, pp. 11-16, 2010年5月.
資料番号 ED2010-19 
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM CPM ED  
開催期間 2010-05-13 - 2010-05-14 
開催地(和) 静岡大学(浜松キャンパス) 
開催地(英) Shizuoka University (Hamamatsu Campus) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-05-SDM-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of Light Emitting Device Based-on AlGaN/GaN:Eu HEMT structure 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 正樹 / Masaki Kondo / コンドウ マサキ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 秦 貴幸 / Takayuki Hata / ハタ タカユキ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 真一郎 / Shin-ichiro Sato / サトウ シンイチロウ
第6著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ
第7著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-05-13 14:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-19, CPM2010-9, SDM2010-19 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 


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