| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 13:30 Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響 ○大城文明・坂本明典・野口 隆（琉球大）・大鉢 忠（同志社大）  SDM2010-7 OME2010-7 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-7 OME2010-7 |
|
| 抄録 | （和） | グレインサイズを用いたポリSi膜の欠陥モデルを提案する。TFTにおいて、ポリSiのグレインサイズは重要なパラメータの1つであり、強反転領域における移動度、弱反転領域におけるS値に影響する。今回、グレインサイズを用いて、しきい値に影響するS値を算出し、基本的な式を用いてId-Vg特性を計算した。提案モデルに基づき、正確なTFTシミュレーションの開発が期待できる。 |
| （英） | A model of defects in poly-Si film by using grain size was proposed. The gate voltage swing factor S which related to the threshold voltage was estimated to calculate Id-Vg characteristics. The development of more precise simulation of TFT is expected based on the proposed model. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / シミュレーション / 欠陥 / トラップ密度 / S値 / しきい値 / / |
| （英） | TFT / simulation / defect / trap density / S factor / threshold voltage / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-7, pp. 29-32, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-7 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-7 OME2010-7 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-7 OME2010-7 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Grain Size on Gate Voltage Swing and Threshold Voltage of Poly-Si Thin Film Transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥 / defect |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ密度 / trap density |
| キーワード(5)（和/英） | S値 / S factor |
| キーワード(6)（和/英） | しきい値 / threshold voltage |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大城 文明 / Fumiaki Oshiro / オオシロ フミアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 明典 / Akinori Sakamoto / サカモト アキノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of Ryukyus) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大鉢 忠 / Tadashi Ohachi / オオハチ タダシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-7, OME2010-7 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]