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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 09:30 [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ ○畑中輝義・矢島亮児（東大）・堀内健史・Shouyu Wang・Xizhen Zhang・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）  ICD2010-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-11 |
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| 抄録 | （和） | データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する。NANDフラッシュメモリへのランダム書き込みにより発生するデータの断片化は、書き込み速度の低下をもたらす。そこで本論文では、バッチライトアルゴリズムの導入によりランダム書き込みを高速化した。また、強誘電体を用いてページバッファを不揮発性回路化することで電源遮断時に書き込み待機データが消失する問題を解決し信頼性の向上を実現した。 |
| （英） | A ferroelectric (Fe)-NAND flash memory with a non-volatile (NV) page buffer is proposed. The data fragmentation in a random write is removed by introducing a batch write algorithm. As a result, the SSD performance can double. The NV-page buffer realizes a power outage immune highly reliable operation. With a low program/erase voltage, 6V and a high endurance, 100million cycles, the proposed Fe-NAND is most suitable for a highly reliable high-speed low power data center application enterprise SSD. | |
| キーワード | （和） | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric / / / / |
| （英） | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-11, pp. 59-64, 2010年4月. | |
| 資料番号 | ICD2010-11 | |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-04-22 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 湘南工大 |
| 開催地（英） | Shonan Institute of Tech. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memory with Non-volatile Page Buffer for Data Center Application Enterprise Solid-State Drives (SSD) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(2)（和/英） | NAND / NAND |
| キーワード(3)（和/英） | Flash / Flash |
| キーワード(4)（和/英） | Ferroelectric / Ferroelectric |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 亮児 / Ryoji Yajima / ヤジマ リョウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀内 健史 / Takeshi Horiuchi / ホリウチ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Shouyu Wang / Shouyu Wang / Shouyu Wang |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Xizhen Zhang / Xizhen Zhang / Xizhen Zhang |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 光恵 / Mitsue Takahashi / タカハシ ミツエ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National institute of advanced industrial science and technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-11 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) |
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