講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-04-22 14:20
[招待講演]Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 ○高島大三郎・滋賀秀裕・橋本大輔・宮川 正・尾崎 徹・金谷宏行・首藤 晋・山川晃司・國島 巌(東芝) ICD2010-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-8 |
抄録 |
(和) |
本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術について述べる。提案するOverdrive技術は、微細化、低電圧化で顕在化するセル信号バラツキ起因の信号劣化やノイズを大幅に改善する。1.3V動作でTail-to-Tailのセル読出し信号量が90mVから180mVの2倍に増加した。 |
(英) |
This paper presents an overview of chain FeRAM technology, and a new scalable shield-bitline-overdrive technique. First, in the overview, the development history of chain FeRAMs and scaling strategy / application are presented. Second, after discussing problems in low-voltage scaled chain FeRAMs, the concept of shield-bitline-overdrive and circuit design are presented. This overdrive technique doubles tail-to-tail cell signal and increases it from 90mV to 180mV at 1.3V. |
キーワード |
(和) |
強誘電体 / 強誘電体メモリ / 強誘電体キャパシタ / FeRAM / スケーリング / / / |
(英) |
Ferroelectric / Ferroelectric Memory / Ferroelectric Capacitor / FeRAM / Scaling / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-8, pp. 41-46, 2010年4月. |
資料番号 |
ICD2010-8 |
発行日 |
2010-04-15 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2010-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-8 |