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講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-22 14:20
[招待講演]Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術
高島大三郎滋賀秀裕橋本大輔宮川 正尾崎 徹金谷宏行首藤 晋山川晃司國島 巌東芝ICD2010-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-8
抄録 (和) 本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術について述べる。提案するOverdrive技術は、微細化、低電圧化で顕在化するセル信号バラツキ起因の信号劣化やノイズを大幅に改善する。1.3V動作でTail-to-Tailのセル読出し信号量が90mVから180mVの2倍に増加した。 
(英) This paper presents an overview of chain FeRAM technology, and a new scalable shield-bitline-overdrive technique. First, in the overview, the development history of chain FeRAMs and scaling strategy / application are presented. Second, after discussing problems in low-voltage scaled chain FeRAMs, the concept of shield-bitline-overdrive and circuit design are presented. This overdrive technique doubles tail-to-tail cell signal and increases it from 90mV to 180mV at 1.3V.
キーワード (和) 強誘電体 / 強誘電体メモリ / 強誘電体キャパシタ / FeRAM / スケーリング / / /  
(英) Ferroelectric / Ferroelectric Memory / Ferroelectric Capacitor / FeRAM / Scaling / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-8, pp. 41-46, 2010年4月.
資料番号 ICD2010-8 
発行日 2010-04-15 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2010-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-8

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 湘南工大 
開催地(英) Shonan Institute of Tech. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Overview of Chain FeRAM Technology and Scalable Shield-Bitline-Overdrive Technique 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電体 / Ferroelectric  
キーワード(2)(和/英) 強誘電体メモリ / Ferroelectric Memory  
キーワード(3)(和/英) 強誘電体キャパシタ / Ferroelectric Capacitor  
キーワード(4)(和/英) FeRAM / FeRAM  
キーワード(5)(和/英) スケーリング / Scaling  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高島 大三郎 / Daisaburo Takashima / タカシマ ダイサブロウ
第1著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 滋賀 秀裕 / Hidehiro Shiga / シガ ヒデヒロ
第2著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 大輔 / Daisuke Hashimoto / ハシモト ダイスケ
第3著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮川 正 / Tadashi Miyakawa / ミヤカワ タダシ
第4著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 徹 / Tohru Ozaki / オザキ トオル
第5著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 金谷 宏行 / Hiroyuki Kanaya / カナヤ ヒロユキ
第6著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 首藤 晋 / Susumu Shuto / シュトウ ススム
第7著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山川 晃司 / Koji Yamakawa / ヤマカワ コウジ
第8著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 國島 巌 / Iwao Kunishima / クニシマ イワオ
第9著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-04-22 14:20:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2010-8 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数
発行日 2010-04-15 (ICD) 


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