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講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-22 12:05
0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ
小田部 晃柳川善光秋山 悟関口知紀日立ICD2010-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-6
抄録 (和) 低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け,低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを適用したセンスアンプを用いることにより,データ線電圧が0.5 Vのときのセンス時間を,従来プリアンプを適用したセンスアンプと比べ62%短くできた。また,ライトサイクル時に低しきい値CMOSプリアンプを一時的に活性化することにより,ライト時間を活性化しない場合と比べ72%短くできた。さらに,データ線電圧を0.8 Vから0.5 Vに低減することにより,アレイ動作電流を12%低減できた。 
(英) A novel low-VT CMOS preamplifier was developed for low-power and high-speed gigabit DRAM arrays. The sensing time of the sense amplifier with the proposed preamplifier at data-line voltage of 0.5 V is 62% shorter than that of the sense amplifier with a conventional preamplifier. By activating the proposed preamplifier temporarily during the write cycle, writing time is 72% shorter compared to the case without the proposed preamplifier. The operating current of a memory array with the proposed preamplifier is reduced by 12% by reducing data-line voltage from 0.8 to 0.5 V.
キーワード (和) DRAM / 低電圧 / プリアンプ / センスアンプ / / / /  
(英) DRAM / Low voltage / Preamplifier / Sense amplifier / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-6, pp. 29-33, 2010年4月.
資料番号 ICD2010-6 
発行日 2010-04-15 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2010-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-6

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 湘南工大 
開催地(英) Shonan Institute of Tech. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-VT CMOS Preamplifier for 0.5-V Gigabit-DRAM Arrays 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DRAM / DRAM  
キーワード(2)(和/英) 低電圧 / Low voltage  
キーワード(3)(和/英) プリアンプ / Preamplifier  
キーワード(4)(和/英) センスアンプ / Sense amplifier  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田部 晃 / Akira Kotabe / コタベ アキラ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳川 善光 / Yoshimitsu Yanagawa / ヤナガワ ヨシミツ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋山 悟 / Satoru Akiyama / アキヤマ サトル
第3著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 知紀 / Tomonori Sekiguchi / セキグチ トモノリ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-04-22 12:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2010-6 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.29-33 
ページ数
発行日 2010-04-15 (ICD) 


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