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講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-22 13:30
[招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM
土田賢二稲場恒夫藤田勝之上田善寛清水孝文浅尾吉昭梶山 健岩山昌由池川純夫岸 達也甲斐 正天野 実下村尚治與田博明渡辺陽二東芝ICD2010-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-7
抄録 (和) 本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit MRAMは、垂直記憶型TMR素子を採用し0.3584um2のセルサイズを実現している。また、スピン注入型MRAMで顕在化する読み出し時のディスターブ問題に対し、特に参照セルでの発生を回避可能にする事を目的としたクランプ参照方式を搭載した。さらに、メモリセル特性のバラツキにより読み出しマージンが劣化する事を抑制するため、最適参照方式を併せて搭載した。本64Mbit MRAMは65nmCMOSテクノロジで試作し、そのチップサイズは47mm2である。 
(英) A 64Mb spin-transfer-torque MRAM in 65nm CMOS is developed. 47mm2 die uses 0.3584um2 cell with the perpendicular-TMR device is achieved. To get an excellent read disturb immunity for the reference cell, the clamped-reference scheme is adopted. The adequate-reference scheme is implemented to suppress the read margin degradation due to the resistance variation of reference cells.
キーワード (和) MRAM / スピン注入型MRAM / 垂直記録型TMR / クランプ参照方式 / 最適参照方式 / / /  
(英) MRAM / STT-MRAM / Perpendicular-TMR / Clamped-Reference Scheme / Adequate-Reference Scheme / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-7, pp. 35-40, 2010年4月.
資料番号 ICD2010-7 
発行日 2010-04-15 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2010-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-7

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 湘南工大 
開催地(英) Shonan Institute of Tech. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 64Mbit MRAM with Clamped-Reference and Adequate-Reference Schemes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MRAM / MRAM  
キーワード(2)(和/英) スピン注入型MRAM / STT-MRAM  
キーワード(3)(和/英) 垂直記録型TMR / Perpendicular-TMR  
キーワード(4)(和/英) クランプ参照方式 / Clamped-Reference Scheme  
キーワード(5)(和/英) 最適参照方式 / Adequate-Reference Scheme  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 土田 賢二 / Kenji Tsuchida / ツチダ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲場 恒夫 / Tsuneo Inaba / イナバ ツネオ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 勝之 / Katsuyuki Fujita / フジタ カツユキ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 善寛 / Yoshihiro Ueda / ウエダ ヨシヒロ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 孝文 / Takafumi Shimizu / シミズ タカフミ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅尾 吉昭 / Yoshiaki Asao / アサオ ヨシアキ
第6著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶山 健 / Takeshi Kajiyama / カジヤマ タケシ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩山 昌由 / Masayoshi Iwayama / イワヤマ マサヨシ
第8著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 池川 純夫 / Sumio Ikegawa / イケガワ スミオ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸 達也 / Tatsuya Kishi / キシ タツヤ
第10著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 甲斐 正 / Tadashi Kai / カイ タダシ
第11著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 実 / Minoru Amano / アマノ ミノル
第12著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 下村 尚治 / Naoharu Shimomura / シモムラ ナオハル
第13著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 與田 博明 / Hiroaki Yoda / ヨダ ヒロアキ
第14著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 陽二 / Yohji Watanabe / ワタナベ ヨウジ
第15著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA)
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講演者
発表日時 2010-04-22 13:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2010-7 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.35-40 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2010-04-15 


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