講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-04-22 15:45
[依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之(日立)・三浦勝哉・山本浩之(日立/東北大)・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌(日立)・池田正二(東北大)・長谷川晴弘・松岡秀行(日立)・大野英男(東北大) ICD2010-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-10 |
抄録 |
(和) |
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 nm CMOSプロセスとサイズが100 x 200nm2のトンネル時期抵抗素子(TMR)を用いている。大容量SPRAM向けの搭載した回路技術として,(1)小面積で大書き込み電流を実現する2トランジスタ1抵抗(2T1R)型メモリセルレイアウト,(2) 書き込み時の配線抵抗の影響を低減する双方向ローカルライトドライバ,(3)TMRを用いた’1’/’0’平均化リファレンス方式を開発した。本技術により,32nsのアクセス時間を実現した。 |
(英) |
A 32-Mb SPin-transfer torque RAM (SPRAM) chip was demonstrated with an access time of 32 ns and a cell write-time of 40 ns at a supply voltage of 1.8 V. The chip was fabricated with 150-nm CMOS and a 100 × 200 nm2 tunnel magnetoresistive device element. This chip features three circuit technologies suitable for a large-scale array: 1) a two-transistor, one-resistor (2T1R) type memory cell for achieving a sufficiently large writing current despite the small cell size, 2) a compact read/write separated hierarchy bit/source-line structure with a localized bi-directional write driver for efficiently distributing writing current, and 3) a '1'/'0' dual-array equalized reference cell for stable read operation. This chip achieves read access time of 32 ns. |
キーワード |
(和) |
SPRAM / 不揮発RAM / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 双方向電流書換 / 2T1Rセルレイアウト / 階層ビット線 / 平均化リファレンス |
(英) |
SPRAM / non-volatile RAM / Spin-transfer torque / Tunnel magneto resistance / Bi-directional current write / 2T1R cell layout / Hierarchical bit-line / equalized reference |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-10, pp. 53-57, 2010年4月. |
資料番号 |
ICD2010-10 |
発行日 |
2010-04-15 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2010-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-10 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD |
開催期間 |
2010-04-22 - 2010-04-23 |
開催地(和) |
湘南工大 |
開催地(英) |
Shonan Institute of Tech. |
テーマ(和) |
メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 |
テーマ(英) |
Memory Device Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2010-04-ICD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
[依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A 32-Mb SPRAM with localized bi-directional write driver, '1'/'0' dual-array equalized reference scheme, and 2T1R memory cell layout |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
SPRAM / SPRAM |
キーワード(2)(和/英) |
不揮発RAM / non-volatile RAM |
キーワード(3)(和/英) |
スピン注入磁化反転 / Spin-transfer torque |
キーワード(4)(和/英) |
トンネル磁気抵抗 / Tunnel magneto resistance |
キーワード(5)(和/英) |
双方向電流書換 / Bi-directional current write |
キーワード(6)(和/英) |
2T1Rセルレイアウト / 2T1R cell layout |
キーワード(7)(和/英) |
階層ビット線 / Hierarchical bit-line |
キーワード(8)(和/英) |
平均化リファレンス / equalized reference |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ |
第1著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
第2著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ |
第3著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立/東北大)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山本 浩之 / Hiroyuki Yamamoto / ヤマモト ヒロユキ |
第4著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立/東北大)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン |
第5著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松崎 望 / Nozomu Matsuzaki / マツザキ ノゾム |
第6著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小埜 和夫 / Kazuo Ono / オノ カズオ |
第7著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山ノ内 路彦 / Michihiko Yamanouchi / ヤマノウチ ミチヒコ |
第8著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
第9著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高橋 宏昌 / Hiromasa Takahashi / タカハシ ヒロマサ |
第10著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
第11著者 所属(和/英) |
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa / ハセガワ ハルヒロ |
第12著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松岡 秀行 / Hideyuki Matsuoka / マツオカ ヒデユキ |
第13著者 所属(和/英) |
(株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
第14著者 所属(和/英) |
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 所属(和/英) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 所属(和/英) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 所属(和/英) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 所属(和/英) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2010-04-22 15:45:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2010-10 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.9 |
ページ範囲 |
pp.53-57 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2010-04-15 (ICD) |