お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-22 15:45
[依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2010-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-10
抄録 (和) 1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 nm CMOSプロセスとサイズが100 x 200nm2のトンネル時期抵抗素子(TMR)を用いている。大容量SPRAM向けの搭載した回路技術として,(1)小面積で大書き込み電流を実現する2トランジスタ1抵抗(2T1R)型メモリセルレイアウト,(2) 書き込み時の配線抵抗の影響を低減する双方向ローカルライトドライバ,(3)TMRを用いた’1’/’0’平均化リファレンス方式を開発した。本技術により,32nsのアクセス時間を実現した。 
(英) A 32-Mb SPin-transfer torque RAM (SPRAM) chip was demonstrated with an access time of 32 ns and a cell write-time of 40 ns at a supply voltage of 1.8 V. The chip was fabricated with 150-nm CMOS and a 100 × 200 nm2 tunnel magnetoresistive device element. This chip features three circuit technologies suitable for a large-scale array: 1) a two-transistor, one-resistor (2T1R) type memory cell for achieving a sufficiently large writing current despite the small cell size, 2) a compact read/write separated hierarchy bit/source-line structure with a localized bi-directional write driver for efficiently distributing writing current, and 3) a '1'/'0' dual-array equalized reference cell for stable read operation. This chip achieves read access time of 32 ns.
キーワード (和) SPRAM / 不揮発RAM / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 双方向電流書換 / 2T1Rセルレイアウト / 階層ビット線 / 平均化リファレンス  
(英) SPRAM / non-volatile RAM / Spin-transfer torque / Tunnel magneto resistance / Bi-directional current write / 2T1R cell layout / Hierarchical bit-line / equalized reference  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-10, pp. 53-57, 2010年4月.
資料番号 ICD2010-10 
発行日 2010-04-15 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2010-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-10

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 湘南工大 
開催地(英) Shonan Institute of Tech. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 32-Mb SPRAM with localized bi-directional write driver, '1'/'0' dual-array equalized reference scheme, and 2T1R memory cell layout 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SPRAM / SPRAM  
キーワード(2)(和/英) 不揮発RAM / non-volatile RAM  
キーワード(3)(和/英) スピン注入磁化反転 / Spin-transfer torque  
キーワード(4)(和/英) トンネル磁気抵抗 / Tunnel magneto resistance  
キーワード(5)(和/英) 双方向電流書換 / Bi-directional current write  
キーワード(6)(和/英) 2T1Rセルレイアウト / 2T1R cell layout  
キーワード(7)(和/英) 階層ビット線 / Hierarchical bit-line  
キーワード(8)(和/英) 平均化リファレンス / equalized reference  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ
第1著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ
第2著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ
第3著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立/東北大)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 浩之 / Hiroyuki Yamamoto / ヤマモト ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立/東北大)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン
第5著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 松崎 望 / Nozomu Matsuzaki / マツザキ ノゾム
第6著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小埜 和夫 / Kazuo Ono / オノ カズオ
第7著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山ノ内 路彦 / Michihiko Yamanouchi / ヤマノウチ ミチヒコ
第8著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ
第9著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 宏昌 / Hiromasa Takahashi / タカハシ ヒロマサ
第10著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ
第11著者 所属(和/英) 東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷川 晴弘 / Haruhiro Hasegawa / ハセガワ ハルヒロ
第12著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 松岡 秀行 / Hideyuki Matsuoka / マツオカ ヒデユキ
第13著者 所属(和/英) (株)日立製作所 基礎研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Advanced Research Laboratory (略称: Hitachi)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ
第14著者 所属(和/英) 東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2010-04-22 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2010-10 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.53-57 
ページ数
発行日 2010-04-15 (ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会