講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-03-12 16:20
強磁性La2NiMnO6トンネルバリアを用いたスピンフィルター効果の評価 ○桂木敏文・宮崎悠也・志治佑一・田中雅章・壬生 攻(名工大)・近藤浩太(京大)・葛西伸哉(物質・材料研究機構)・小野輝男(京大) MR2009-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-65 |
抄録 |
(和) |
強磁性絶縁体La2NiMnO6のスピンフィルター効果を検証するために,SrTiO3基板上にLa0.7Sr0.3MnO3(LSMO)/LaTiO3/La2NiMnO6(LNMO)/Cr/Auで構成される磁気トンネル接合(MTJs)を作製し,トンネル磁気抵抗(TMR)測定を行った.作製したMTJ素子において,LSMOとLNMOの平行・反平行磁化配置に付随するTMR効果が観測され,そのTMR比は50 Kで約19 %,110 Kで約10 %であった.これらの値をトンネル電流のスピン分極率に換算すると,50 Kで約9 %,110 Kで約4 %となった. |
(英) |
We investigated magnetic tunnel junctions (MTJs) La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)/LaTiO3/La2NiMnO6(LNMO)/Cr/Au which were fabricated on SrTiO3 substrates to examine spin-filtering effect through the ferromagnetic insulator LNMO by the measurement of tunnel magnetoresistance (TMR). The MTJ showed TMR ratio of about 19 % at 50 K and about 10 % at 110 K accompanied by the change of magnetization configuration of LSMO and LNMO from parallel to antiparallel. The spin polarization of the tunnel current through the LNMO barrier was estimated to be about 9 % at 50 K and about 4 % at 110 K. |
キーワード |
(和) |
スピントロニクス / スピンフィルター効果 / トンネル磁気抵抗効果 / 強磁性絶縁体 / ダブルペロブスカイト構造 / パルスレーザー堆積法 / / |
(英) |
Spintronics / Spin-filtering effect / Tunnel magnetoresistance / Ferromagnetic insulator / Double perovskite / Pulsed laser deposition / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, 2010年3月. |
資料番号 |
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発行日 |
2010-03-05 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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