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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-23 11:35 p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器 ○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（会津大）・Taiichi Otsuji（東北大）・Vladimir Mitin（ニューヨーク州立大）  ED2009-209 SDM2009-206 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-209 SDM2009-206 |
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| 抄録 | （和） | Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n graphene structures utilizing interband transitions are proposed and evaluated. Using the developed device model, the detector responsivity and detectivity is calculated as functions of the number of graphene layers, energy of photons, bias voltage, and temperature. It is demonstrated that the proposed detectors can substantially surpass in the terahertz and middle infrared spectral ranges quantum-well and quantum-dot detectors as well as detectors based on narrow-gap and gapless bulk semiconductors |
| （英） | Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n graphene structures utilizing interband transitions are proposed and evaluated. Using the developed device model, the detector responsivity and detectivity is calculated as functions of the number of graphene layers, energy of photons, bias voltage, and temperature. It is demonstrated that the proposed detectors can substantially surpass in the terahertz and middle infrared spectral ranges quantum-well and quantum-dot detectors as well as detectors based on narrow-gap and gapless bulk semiconductors |
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| キーワード | （和） | Graphene / detector / terahertz / infrared / / / / |
| （英） | Graphene / detector / terahertz / infrared / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-209, pp. 77-80, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-209 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-209 SDM2009-206 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-209 SDM2009-206 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detectors of Terahertz and Infrared Radiation Based on p-i-n Single- and Multiple Graphene Layer Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Graphene / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | detector / detector |
| キーワード(3)（和/英） | terahertz / terahertz |
| キーワード(4)（和/英） | infrared / infrared |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Victor Ryzhii / Victor Ryzhii / ヴィクトール リズィー |
| 第1著者 所属（和/英） | 会津大学コンピュータ物理学鋼材 (略称： 会津大) University of Aizu (略称： Univ. of Aizu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Maxim Ryzhii / Maxim Ryzhii / マキシム リズィー |
| 第2著者 所属（和/英） | 会津大学コンピュータ物理学鋼材 (略称： 会津大) University of Aizu (略称： Univ. of Aizu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Taiichi Otsuji / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Vladimir Mitin / Vladimir Mitin / ウラジミール ミッティン |
| 第4著者 所属（和/英） | ニューヨーク州立大学バッファロー校電気工学科 (略称： ニューヨーク州立大) University ar Buffalo (略称： Buffalo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-23 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-209, SDM2009-206 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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